[发明专利]一种浅沟槽隔离的制作方法有效
| 申请号： | 201210385109.2 | 申请日： | 2012-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN103730402B | 公开（公告）日： | 2016-11-30 |
| 发明（设计）人： | 周鸣 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 隔离 制作方法 | ||
1.一种浅沟槽隔离的制作方法，其特征在于，包括：
提供衬底；
在所述衬底中形成凹槽；
在所述凹槽内淀积介质层，刻蚀部分所述介质层并对刻蚀后的介质层进行等离子体处理；
再次淀积介质层并进行刻蚀和等离子体处理，如此循环直至所述介质层中不存在接缝。
2.如权利要求1所述的浅沟槽隔离的制作方法，其特征在于，所述等离子体处理为等离子态的一氧化二氮处理和等离子态的氩气处理。
3.如权利要求2所述的浅沟槽隔离的制作方法，其特征在于，所述等离子态的一氧化二氮处理为：
在压强0.65~7torr，功率50~2000w，氮气和/或氦气的氛围下，通入流量为50~2000sccm的一氧化二氮。
4.如权利要求2或3所述的浅沟槽隔离的制作方法，其特征在于，所述等离子态的一氧化二氮处理持续时间为10~20s。
5.如权利要求2所述的浅沟槽隔离的制作方法，其特征在于，所述等离子态的氩气处理为：
在压强0.65~7torr，功率50~2000w下，通入流量为50~2000sccm的氩气。
6.如权利要求2或5所述的浅沟槽隔离的制作方法，其特征在于，所述等离子态的氩气处理持续时间为10~20s。
7.如权利要求3所述的浅沟槽隔离的制作方法，其特征在于，所述等离子体处理过程中还通入氮气、氨气、肼、氢气和氧气中的一种或多种。
8.如权利要求1所述的浅沟槽隔离的制作方法，其特征在于，所述淀积介质层的方法为采用次常压化学气相沉积工艺。
9.如权利要求8所述的浅沟槽隔离的制作方法，其特征在于，所述淀积介质层的方法为采用TEOS和O3反应形成。
10.如权利要求1所述的浅沟槽隔离的制作方法，其特征在于，所述循环次数为5~10次。
11.如权利要求1所述的浅沟槽隔离的制作方法，其特征在于，最后一次循环中进行淀积介质层和等离子体处理。
12.如权利要求1所述的浅沟槽隔离的制作方法，其特征在于，所述刻蚀工艺为采用等离子态的氟进行刻蚀。
13.如权利要求1所述的浅沟槽隔离的制作方法，其特征在于，所述衬底上形成有硬掩膜层，通过光刻和刻蚀工艺图案化所述硬掩膜层，并以图案化的硬掩膜层为掩膜，刻蚀所述衬底形成凹槽。
14.如权利要求13所述的浅沟槽隔离的制作方法，其特征在于，所述硬掩膜层包括依次形成于所述衬底上的垫氧化层和氮化硅层。
15.如权利要求1所述的浅沟槽隔离的制作方法，其特征在于，在所述凹槽内淀积介质层之前，在所述凹槽的侧壁和底壁上形成衬氧化层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
