[发明专利]一种适用于方形基板的化学液回收装置

说明书

技术领域

本发明属于半导体行业晶片湿法处理领域，具体地说是一种适用于方形基板的化学液回收装置。

背景技术

目前，对于半导体行业中晶片湿法处理工艺经常需要使用化学液，而如何实现化学液的无污染无稀释回收再利用就是一个不可避免的问题。在现有技术中，化学液的回收比较困难，容易造成化学液被污染和稀释，而且对于方形基板的化学液处理并且回收就会更加困难。因此，如何避免化学液在处理方形基板后的回收过程中被污染和稀释现象的产生，已成为亟待解决的问题。

发明内容

为了解决方形基板处理时化学液因回收过程中被污染和稀释而无法再利用的问题，本发明的目的在于提供一种适用于方形基板的化学液回收装置。该回收装置用于化学液工艺处理后的回收再利用，以达到节约成本的目的，通过该装置可实现化学液的无污染无稀释回收。

本发明的目的是通过以下技术方案来实现的：

本发明包括固定及旋转方形基板的承片台、CUP、接液槽、气缸、电机及台面板，其中接液槽安装在台面板上，在接液槽内设有由电机驱动的承片台，所述方形基板位于该承片台上，方形基板任意相对的两个角通过所述承片台上的挡柱定位；所述接液槽与承片台之间设有由气缸驱动升降的CUP，接液槽内通过所述CUP分成回收化学液的外槽及回收清洗液的内槽，每个槽各设有一个排出口。

其中：所述承片台的上表面设有至少四个挡柱，四个挡柱之间的连线围成方形，四个挡柱位于方形的四个顶点；所述方形基板任意相对的两个角由所述方形相对的两条边插入，分别由两个挡柱固定；所述承片台为锥台形，中部为镂空结构，镂空部分的尺寸小于所述方形基板的尺寸；在承片台镂空部分的下方设有多个将去离子水和氮气喷洒到方形基板上晶圆背面的喷嘴；

所述CUP移动的上限位位于晶片及承片台的上方，下限位位于方形基板及承片台的下方；所述电机为中空轴电机，安装在台面板的下方，电机中空的输出轴穿过台面板与所述承片台相连，在电机中空的输出轴端设有压缩空气入口，所述承片台套在输出轴外的部位开有与所述中空的输出轴连通的压缩空气出口；所述CUP为锥台形、内部中空，在CUP的上表面开有供所述承片台穿过的第一通孔；所述CUP上开有凹槽，接液槽内设有第二凸起，该第二凸起容置在所述凹槽内；所述气缸安装在台面板的下表面，活塞杆依次穿过台面板、第二凸起与CUP相连；

所述接液槽内由里向外依次设有内部中空的第一凸起、第二凸起，承片台及电机的输出轴由第一凸起穿过；所述第一凸起及第二凸起将接液槽内部分隔成外槽及内槽，第一、二凸起之间为内槽，第二凸起与接液槽外壁之间为外槽，内槽的底部开有回收清洗液的排液口，外槽的底部开有回收化学液的排酸口；所述内槽内，在第一凸起顶端与承片台之间设有挡板，该挡板的内壁上安装有多个喷嘴；所述接液槽的顶部安装有防护罩，该防护罩为锥台形，其上表面开有第二通孔。

本发明的优点与积极效果为：

1．本发明的承片台上设置了定位方形基板的挡柱，实现了化学液沿方形基板四条边流下，并且被分类回收。

2．本发明通过升降CUP的方式来控制化学液和清洗液的分离，通过不同通道回收，实现了在湿法处理时化学液回收要求，很大程度上减少了化学液的污染和被稀释问题。

3．本发明的CUP在上限位时位于方形基板的上方，清洗液全部被甩到CUP内壁，不会被甩到CUP外部，因此不会化学液的污染和被稀释；CUP会在下限位时，化学液沿CUP外壁留到外腔，全部被回收再利用，不会造成浪费。

4．本发明在电机和承片台上分别开设压缩空气入口及压缩空气出口，并在第一凸起与承片台下方加设挡板，承片台的下面有压缩空气吹出，保证了在工艺处理过程中产生的酸雾不会腐蚀电机。

5．本发明承片台的中部为镂空结构，在挡板壁上设置了多个喷嘴，可将去离子水和氮气通过镂空部分喷洒到晶片的背面。

6．本发明结构简单、反应迅速、安装方便、价格低廉等特点。

7．本发明实现了化学液的回收与排放的自动转换。

附图说明

图1为本发明的内部结构示意图之一（CUP处于移动下限位）；

图2为本发明的内部结构示意图之二（CUP处于移动上限位）；

图3为本发明承片台的结构示意图（承片台上放有方形基板）；