[发明专利]一种半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 201210382865.X | 申请日： | 2012-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN103730342A | 公开（公告）日： | 2014-04-16 |
| 发明（设计）人： | 林静;何有丰 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件的制造方法，包括：
提供半导体衬底，在所述半导体衬底上依次形成界面层、高k介电层、覆盖层和牺牲栅极材料层；
执行第一湿法清洗，以去除所述半导体衬底的背面上形成的牺牲栅极材料层；
对所述半导体衬底依次进行表面氧化处理和第二湿法清洗，以去除所述第一湿法清洗在位于所述半导体衬底正面的牺牲栅极材料层的表面造成的粒子缺陷。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述界面层的材料包括硅氧化物。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述高k介电层的材料包括氧化铪。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述覆盖层的材料包括氮化钛和氮化钽。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述牺牲栅极材料层的材料为无定形硅。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，在炉管中实施化学气相沉积工艺形成所述无定形硅。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一湿法清洗的清洗液为氢氟酸和硝酸的混合物。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述表面氧化处理的时间为10-600s，压力为5-780Torr。
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述表面氧化处理的氧化剂为臭氧或者氧气。
10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二湿法清洗的清洗液为稀释的氢氟酸或者氨水、双氧水和水的混合液。
11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述稀释的氢氟酸的浓度为100:1-10000:1。
12.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二湿法清洗的时间为10-120s，温度为0-80℃。
13.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述第二湿法清洗之后，还包括依次蚀刻所述牺牲栅极材料层、覆盖层、高k介电层和界面层的步骤，以在所述半导体衬底上形成伪栅极结构。
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