[发明专利]封装基板的制造方法及其半导体封装结构

权利要求书

1.一种封装基板的制造方法，其特征在于：所述制造方法包括：

提供一核芯板；

形成一剥离层于所述核芯板上；

形成一第一绝缘层于所述核芯板上，并覆盖所述剥离层；

形成第一线路层于所述绝缘层上，所述第一线路层包含中心区及外围区，其中线路置于所述第一线路层的外围区；

移除部分所述第一绝缘层，以暴露部分所述剥离层的表面；以及

剥离所述剥离层，且同时剥离所述剥离层上的部分所述第一绝缘层及所述第一线路层的中心区，以形成一剥离凹部。

2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于：所述剥离层的厚度为10微米～30微米。

3.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于：于所述第一绝缘层形成一环形凹沟的结构。

4.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于：在形成所述剥离凹部后，另提供一芯片埋设于所述剥离凹部内。

5.根据权利要求4所述的制造方法，其特征在于：所述芯片的一主动表面是接合于所述剥离凹部内的内侧线路层上。

6.根据权利要求4所述的制造方法，其特征在于：所述芯片的主动表面是通过焊线来连接于所述第一线路层。

7.根据权利要求4所述的制造方法，其特征在于：所述芯片的主动表面是通过焊线来连接于所述剥离凹部内的内侧线路层上。

8.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于：还包括：

形成另一第一绝缘层于所述核芯板的另一侧上；

形成另一第一线路层于所述另一第一绝缘层上，并暴露部分所述另一绝缘层的表面；

形成第二剥离层于所述另一第一绝缘层上，并覆盖所述另一第一线路层；

形成第二绝缘层于所述第二剥离层上；

形成第二线路层于所述第二绝缘层上，所述第二线路层包含中心区及外围区，其中线路置于所述第二线路层的外围区；

移除部分所述第二绝缘层，以暴露部分所述第二剥离层的表面；以及

剥离所述第二剥离层，且同时剥离所述第二剥离层上的部分所述第二绝缘层及所述第二线路层的中心区，以形成另一剥离凹部。

9.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于：另一芯片或另一封装基板是设置于所述第一线路层上，并覆盖所述剥离凹部。

10.一种半导体封装结构，其特征在于：所述半导体封装结构包括：

一封装基板，包括：

一核芯板；

二个内侧线路层，分别形成于所述核芯板的相对两侧；

二个第一绝缘层，分别位于所述核芯板的相对两侧，且形成于所述内侧线路层上；

二个第一线路层，分别位于所述核芯板的相对两侧，且形成于所述第一绝缘层上；

二个第二绝缘层，分别位于所述核芯板的相对两侧，且形成于所述第二线路层上；

二个第二线路层，分别位于所述核芯板的相对两侧，且形成于所述第二绝缘层上；

第一剥离凹部，形成于所述核芯板的一侧，并暴露所述内侧线路层的表面；以及

第二剥离凹部，形成于所述核芯板的另一侧，并暴露所述第一线路层的表面，其中所述第一剥离凹部的深度大于所述第二剥离凹部的深度；

一第一芯片，埋设于所述第一剥离凹部中；

一第二芯片，埋设于所述第二剥离凹部中；以及

一芯片或另一封装基板，设置于所述封装基板上，并覆盖所述第二剥离凹部。

11.一种半导体封装结构，其特征在于：所述半导体封装结构包括：

一封装基板，包括：

一核芯板；

二个内侧线路层，分别形成于所述核芯板的相对两侧；

二个第一绝缘层，分别位于所述核芯板的相对两侧，且形成于所述内侧线路层上；

二个第一线路层，分别位于所述核芯板的相对两侧，且形成于所述第一绝缘层上；以及

剥离凹部，形成于所述核芯板的一侧，并暴露所述内侧线路层的表面；

一第一芯片，埋设于所述剥离凹部中；以及

一第二芯片，设于所述第一线路层上，其中所述第二芯片覆盖于所述剥离凹部上，并连接于所述第一芯片。