[发明专利]一种具有梁膜结合结构的高g值加速度计

权利要求书

1.一种具有梁膜结合结构的高g值加速度计，包括封装外壳（1）、电路板（2）及SOI压阻芯片（3），其特征在于：SOI压阻芯片（3）配置在电路板（2）中部的槽内，SOI压阻芯片（3）与电路板（2）之间通过第二引线（6）连接，SOI压阻芯片（3）与电路板（2）用胶黏剂粘接在封装外壳（1）上的第一凹槽（7）底部，电路板（2）上的第一引线（4）通过封装外壳（1）上的引线孔（5）引出，封装的加速度计内部采用胶黏剂填充，封装顶盖（9）焊接在封装外壳（1）的第二凹槽（8）中。

2.根据权利要求1所述的一种具有梁膜结合结构的高g值加速度计，其特征在于：封装外壳（1）的内部配置有第一凹槽（7）和第二凹槽（8），第一凹槽（7）和第二凹槽（8）为同心圆孔，形成阶梯孔，第一凹槽（7）的直径小于第二凹槽（8）的直径，封装顶盖（9）的直径小于第二凹槽（8）的直径，而大于第一凹槽（7）的直径，沿着封装外壳（1）的长度方向，在第二凹槽（8）的两侧各配置一个通孔（10），封装外壳（1）上的侧面配置有引线孔（5），引线孔（5）和第一凹槽（7）连通。

3.根据权利要求1所述的一种具有梁膜结合结构的高g值加速度计，其特征在于：电路板（2）上配置有第一焊盘（11）和第二焊盘（12），第一焊盘（11）和第一引线（4）连接，第一焊盘（11）和第二焊盘（12）连接，第二焊盘（12）和第二引线（6）的一端连接，第二引线（6）的另一端和SOI压阻芯片（3）连接。

4.根据权利要求1所述的一种具有梁膜结合结构的高g值加速度计，其特征在于：SOI压阻芯片（3）采用梁膜结构，由十字梁（13）、膜（14）和顶端的结构框架（15）固连，梁膜结构的最大应变值≤500με，四个相同的压敏电阻（16）、（17）、（18）、（19）分别制作在十字梁（13）的四个端部，并构成惠斯通电桥。

5.根据权利要求1所述的一种具有梁膜结合结构的高g值加速度计，其特征在于：本具有梁膜结合结构的高g值加速度计采用全金属管壳封装。