[发明专利]形成半导体器件的连接突块的方法

说明书

相关申请的交叉引用

本申请要求2011年9月30日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2011-0100032的优先权，其公开内容通过参考合并于此。

技术领域

本发明思想的示例性实施例涉及在半导体器件上形成连接突块的方法，例如涉及在具有重布线图案的半导体器件上形成连接突块的方法。

背景技术

具有半导体器件的半导体芯片通过焊盘将其内部电路功能扩展到外部电子设备。到目前为止，半导体芯片的焊盘主要通过接合线连接到外部印刷电路板（PCB）。但是随着半导体器件的小型化、随着处理速度的逐渐提高并且随着半导体芯片中的输入/输出信号的数目的增加，将形成在半导体芯片的焊盘上的连接突块直接连接到PCB的方法越来越困难。在通过连接突块去到PCB的连接中，希望提高可靠性并且减少工艺时间/成本。

发明内容

本发明思想的示例性实施例提供了形成半导体器件的连接突块的方法，其中所述半导体器件被形成为具有重布线图案。

根据本发明思想的示例性实施例，提供一种形成半导体器件的连接突块的方法，所述方法包括：制备半导体衬底，在所述半导体衬底上通过钝化膜部分地暴露出焊盘；在所述焊盘和所述钝化膜上形成种子层；在所述焊盘上形成光致抗蚀剂图案和第一开口，所述光致抗蚀剂图案包括开口图案，所述开口图案包括暴露出所述钝化膜上的种子层的一部分并且与所述第一开口分开的第二开口；施行第一电镀，以便在所述开口图案中形成填充物层；施行第二电镀，以便在所述填充物层上形成焊料层；去除所述光致抗蚀剂图案；以及施行回流工艺，以便形成塌陷焊料层和焊料突块，该塌陷焊料层将所述填充物层彼此电连接，并且所述焊料突块位于形成在所述第二开口中的填充物层上。

在示例性实施例中，施行回流工艺可以包括：通过溶解形成在所述第一开口中的填充物层上的焊料层的一部分而形成所述塌陷焊料层。

在示例性实施例中，所述方法还可以包括：在施行回流工艺之后，去除被所述填充物层和所述塌陷焊料层暴露出的种子层的一部分。

在示例性实施例中，所述第一开口的最窄宽度可以小于所述第二开口的最窄宽度，从而通过溶解形成在所述第一开口中的填充物层上的焊料层的一部分而形成所述塌陷焊料层，并且由形成在所述第二开口中的填充物层上的焊料层来形成所述焊料突块。

在示例性实施例中，所述开口图案还可以包括处于所述第一开口与所述第二开口之间的至少一个中间开口，所述中间开口分别与所述第一开口和所述第二开口分开。

在示例性实施例中，所述第一开口和所述至少一个中间开口的剖面可以具有相同的形状，并且所述第一开口和所述至少一个中间开口可以在朝向所述第二开口的方向上被重复布置。

在示例性实施例中，施行回流工艺可以包括：通过溶解形成在所述第一开口和所述中间开口中的填充物层上的焊料层的一部分而形成所述塌陷焊料层。

在示例性实施例中，施行回流工艺可以包括：通过溶解形成在所述第一开口和所述中间开口中的填充物层上的焊料层的一部分而形成所述塌陷焊料层，从而使得所述塌陷焊料层与形成在所述第二开口中的填充物层接触。

在示例性实施例中，形成所述光致抗蚀剂图案还可以包括形成对应于与所述开口图案分开并且暴露出所述钝化膜上的种子层的一部分的虚设开口的光致抗蚀剂图案，施行第一电镀可以包括在所述虚设开口中形成虚设填充物层，并且施行第二电镀可以包括在所述虚设填充物层上形成虚设焊料层。

在示例性实施例中，施行回流工艺可以包括：在所述虚设填充物层上形成虚设焊料突块。

在示例性实施例中，施行回流工艺可以包括：在所述半导体衬底上的相同水平处形成所述焊料突块和所述虚设焊料突块的最上表面。

在示例性实施例中，施行回流工艺可以包括：在所述半导体衬底上的低于所述焊料突块的最上表面的某一水平处形成所述塌陷焊料层的最上表面。

在示例性实施例中，所述方法还可以包括：在施行回流工艺之后去除被所述填充物层和所述塌陷焊料层暴露出的种子层部分，从而使得所述填充物层、所述焊料突块和所述塌陷焊料层分别与所述虚设填充物层和所述虚设焊料突块电绝缘。