[发明专利]形成半导体器件的连接突块的方法

权利要求书

1.一种形成半导体器件的连接突块的方法，所述方法包括：

制备半导体衬底，在所述半导体衬底上通过钝化膜部分地暴露出焊盘；

在所述焊盘和所述钝化膜上形成种子层；

形成包括开口图案的光致抗蚀剂图案，所述开口图案包括：

暴露出所述焊盘上的种子层的一部分的第一开口；以及

暴露出所述钝化膜上的种子层的一部分并且与所述第一开口分开的第二开口；

施行第一电镀，以便在所述开口图案中形成填充物层；

施行第二电镀，以便在所述填充物层上形成焊料层；

去除所述光致抗蚀剂图案；以及

施行回流工艺，以便形成塌陷焊料层和焊料突块，该塌陷焊料层将所述填充物层彼此电连接，并且该焊料突块位于形成在所述第二开口中的填充物层上。

2.权利要求1的方法，其中，施行回流工艺包括：通过溶解形成在所述第一开口中的填充物层上的焊料层的一部分而形成所述塌陷焊料层。

3.权利要求1的方法，其还包括：在施行回流工艺之后，去除被所述填充物层和所述塌陷焊料层暴露出的种子层的一部分。

4.权利要求1的方法，其中，所述第一开口的最窄宽度小于所述第二开口的最窄宽度，从而通过溶解形成在所述第一开口中的填充物层上的焊料层的一部分而形成所述塌陷焊料层，并且由形成在所述第二开口中的填充物层上的焊料层来形成所述焊料突块。

5.权利要求1的方法，其中，所述开口图案还包括处于所述第一开口与所述第二开口之间的至少一个中间开口，所述至少一个中间开口与所述第一开口和所述第二开口分开。

6.权利要求5的方法，其中，所述第一开口和所述至少一个中间开口的剖面具有相同的形状，并且所述第一开口和所述至少一个中间开口在朝向所述第二开口的方向上被重复布置。

7.权利要求5的方法，其中，施行回流工艺包括：通过溶解形成在所述第一开口和所述中间开口中的填充物层上的焊料层的一部分而形成所述塌陷焊料层。

8.权利要求7的方法，其中，施行回流工艺包括：通过溶解形成在所述第一开口和所述中间开口中的填充物层上的焊料层的一部分而形成所述塌陷焊料层，从而使得所述塌陷焊料层与形成在所述第二开口中的填充物层接触。

9.权利要求1的方法，其中，形成所述光致抗蚀剂图案还包括：形成对应于与所述开口图案分开并且暴露出所述钝化膜上的种子层的一部分的虚设开口的光致抗蚀剂图案，

施行第一电镀包括：在所述虚设开口中形成虚设填充物层，并且

施行第二电镀包括：在所述虚设填充物层上形成虚设焊料层。

10.权利要求9的方法，其中，施行回流工艺包括：在所述虚设填充物层上形成虚设焊料突块。

11.权利要求10的方法，其中，施行回流工艺包括：在所述半导体衬底上的相同水平处形成所述焊料突块和所述虚设焊料突块的最上表面。

12.权利要求10的方法，其中，施行回流工艺包括：在所述半导体衬底上的低于所述焊料突块的最上表面的某一水平处形成所述塌陷焊料层的最上表面。

13.权利要求10的方法，其还包括：

在施行回流工艺之后去除被所述填充物层和所述塌陷焊料层暴露出的种子层部分，从而使得所述填充物层、所述焊料突块和所述塌陷焊料层分别与所述虚设填充物层和所述虚设焊料突块电绝缘。

14.一种形成半导体器件的连接突块的方法，所述方法包括：

制备半导体衬底，在所述半导体衬底上通过钝化膜部分地暴露出焊盘；

形成彼此分开的填充物层，每一个填充物层包括：

所述钝化膜上的突块填充物图案，

用以与所述焊盘部分地重叠的焊盘上的连接填充物图案，以及

所述突块填充物图案与所述连接填充物图案之间的至少一个中间填充物图案；

在所述填充物层上形成焊料层；以及

通过溶解形成在所述连接填充物图案和所述中间填充物图案上的焊料层而形成把所述焊盘电连接到所述突块填充物图案的塌陷焊料层。