[发明专利]功率-高效的RGBW OLED显示器有效
| 申请号: | 201210377007.6 | 申请日: | 2012-10-08 |
| 公开(公告)号: | CN103035664A | 公开(公告)日: | 2013-04-10 |
| 发明(设计)人: | 苏宇永;M·韦弗 | 申请(专利权)人: | 通用显示公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/50;H01L51/52 |
| 代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 冯玉清 |
| 地址: | 美国新*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 功率 高效 rgbw oled 显示器 | ||
1.第一器件,包括:
至少一种像素,其中所述像素包括第一子-像素、第二子-像素、第三子-像素和第四子-像素,其中:
所述第一子-像素包括:
第一有机发光器件;和
与所述第一有机发光器件光学相连的第一滤色器,其中所述第一滤色器适于优选通过来自所述第一有机发光器件的光线,所述光线具有在580至700nm之间的可见光谱中的峰值波长;
所述第二子-像素包括:
第二有机发光器件;和
光学相连所述第一有机发光器件的第二滤色器,其中所述第二滤色器适于优选通过来自所述第二有机发光器件的光线,所述光线具有在500至580nm之间的可见光谱中的峰值波长;
所述第三子-像素包括:
第三有机发光器件;和
光学相连所述第一有机发光器件的第三滤色器,其中所述第三滤色器适于优选通过来自所述第一有机发光器件的光线,所述光线具有在400至500nm之间的可见光谱中的峰值波长;
所述第四子-像素包括第四有机发光器件并发射近白光;
其中所述第一子-像素或所述第二子-像素中的至少一种包括光学相连所述第一或所述第二有机发光器件的颜色转换层;以及
其中所述至少一种颜色转换层设置在所述第一或第二有机发光器件、和所述第一或所述第二滤色器之间。
2.权利要求1所述的第一器件,其中:
所述第一子-像素包括第一颜色转换层,其中:
所述第一颜色转换层光学相连所述第一有机发光器件,并且设置在所述第一有机发光器件和所述第一滤色器之间;和
所述第一颜色转换层包含材料,所述材料具有峰值波长小于600nm的吸收光谱和峰值波长在580至700nm之间的发射光谱;
所述第二子-像素包括第二颜色转换层,其中:
所述第二颜色转换层光学相连所述第二有机发光器件,并且设置在所述第二有机发光器件和所述第二滤色器之间;和
所述第二颜色转换层包含材料,所述材料具有峰值波长小于500nm的吸收光谱和峰值波长在500至580nm之间的发射光谱。
3.权利要求2所述的第一器件,其中所述第一颜色转换层和所述第二转换层具有小于40%的光致发光量子产率(PLQY)。
4.权利要求2所述的第一器件,其中所述第四有机发光器件的色度和由所述第四子-像素发射的光线的色度基本上相同。
5.权利要求2所述的第一器件,
其中所述第一器件是具有白平衡的显示器;
其中所述白平衡具有在CIE 1976UCS(L’,u’,v’)颜色空间色度图上的第一点;
其中所述第四子-像素发射光线,所述光线具有在CIE 1976UCS(L’,u’,v’)颜色空间色度图上的第二点;以及
其中所述第一点和所述第二点之间的差具有小于0.10的duv值。
6.权利要求3所述的第一器件,
其中所述第一、第二、第三和第四有机发光器件分别恰恰包含两种有机发射材料、第一有机发射材料和第二有机发射材料;
其中所述第一有机发射材料具有峰值波长在500至630nm之间的发射光谱;以及
其中所述第二有机发射材料具有峰值波长在400至500nm之间的发射光谱。
7.权利要求3所述的第一器件,
其中所述第一、第二、第三和第四有机发光器件分别恰恰包含两种有机发射材料:第一有机发射材料和第二有机发射材料;
其中所述第一有机发射材料具有峰值波长在520至630nm之间的发射光谱;
其中所述第二有机发射材料具有峰值波长在400至500nm之间的发射光谱。
8.权利要求7所述的第一器件,其中所述第一有机发射材料的发射光谱的半峰全宽(FWHM)小于100。
9.权利要求7所述的第一器件,其中所述第一颜色转换层具有吸收光谱,使得至少约10%的由所述第一发射材料发射的光线被吸收。
10.权利要求7所述的第一器件,其中所述第一颜色转换层具有吸收光谱,使得至少约30%的由所述第一发射材料发射的光线被吸收。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





