[发明专利]读取存储单元的方法和使用该方法的非易失性存储器件在审

专利信息
申请号: 201210375708.6 申请日: 2012-09-29
公开(公告)号: CN103106924A 公开(公告)日: 2013-05-15
发明(设计)人: 朱相炫;宋基焕;李柱硕;崔奇焕 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: G11C16/26 分类号: G11C16/26;G11C16/02
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 邵亚丽
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 读取 存储 单元 方法 使用 非易失性存储器
【权利要求书】:

1.一种非易失性存储器件的软判决读取方法,包含:

接收软判决读取命令;

向被选字线施加读取电压;

对分别连接到该被选字线的被选存储单元的位线进行预充电;以及

连续地感测该被选存储单元的状态,其中位线的预充电电压和供应到被选字线的读取电压在感测被选存储单元的状态期间不改变。

2.如权利要求1所述的软判决读取方法,其中,感测被选存储单元的状态包括多个感测操作,每个感测操作通过根据被选存储单元的阈值电压来改变分别与位线相对应的感测节点的电压、锁存感测节点的电压以及对感测节点进行预充电来执行;以及

其中,感测操作的各个展开时间相互不同。

3.如权利要求2所述的软判决读取方法,其中在感测操作中分别锁存的数据包括硬判决读取数据和多个软判决读取数据。

4.如权利要求2所述的软判决读取方法,其中在感测操作中分别锁存的数据包括多个软判决读取数据。

5.如权利要求2所述的软判决读取方法,其中在感测操作中分别锁存的数据包括硬判决读取数据和多个软判决读取数据中的至少一个软判决读取数据。

6.如权利要求2所述的软判决读取方法,其中连续地感测被选存储单元的状态包括至少两次锁存分别与位线相对应的感测节点的电压,作为第一数据和第二数据。

7.如权利要求6所述的软判决读取方法,其中第一数据指示阈值电压高于读取电压的存储单元和阈值电压比读取电压低预定电压的存储单元。

8.如权利要求7所述的软判决读取方法,其中第二数据指示阈值电压高于读取电压的存储单元。

9.如权利要求8所述的软判决读取方法,其中至少两次锁存电压包含:

在第一时段期间根据被选存储单元的阈值电压改变感测节点的电压;

锁存感测节点的电压,作为第一数据;

对感测节点进行预充电;

在与第一时段不同的第二时段期间根据被选存储单元的阈值电压改变感测节点的电压;以及

锁存感测节点的电压,作为第二数据。

10.如权利要求9所述的软判决读取方法,其中第一时段比第二时段短。

11.如权利要求10所述的软判决读取方法,其中第一时段被设置为使得阈值电压比读取电压低预定电压的存储单元被确定为关断单元。

12.如权利要求11所述的软判决读取方法,其中第二时段被设置为使得阈值电压比读取电压低预定电压的存储单元被确定为导通单元。

13.如权利要求9所述的软判决读取方法,其中位线被驱动以维持预充电状态,直到感测节点的电压被锁存为第二数据为止。

14.如权利要求1所述的软判决读取方法,其中施加到被选字线的读取电压在感测操作完成之后被阻断。

15.一种非易失性存储器件,包含:

存储单元阵列,具有布置在字线和位线的交叉处的存储单元;

行选择器电路,配置为驱动字线中的一条被选字线;

读/写电路,具有分别连接到位线的页缓存;以及

控制逻辑,配置为控制读/写电路和行选择器电路,

其中控制逻辑控制软判决读取操作,在软判决读取操作中,对分别连接到被供应了读取电压的被选字线的被选存储单元的位线进行预充电,并且在位线的预充电电压和供应到被选字线的读取电压不改变的同时至少两次锁存分别与位线相对应的感测节点的电压作为第一数据和第二数据;以及

其中控制逻辑可变地控制读取操作的连续感测操作的各个展开时间。

16.如权利要求15所述的非易失性存储器件,其中至少两次锁存感测节点的电压作为第一数据和第二数据包含:

在第一时段期间根据被选存储单元的阈值电压改变感测节点的电压;

锁存感测节点的电压,作为第一数据;

对感测节点进行预充电;

在比第一时段长的第二时段期间根据被选存储单元的阈值电压改变感测节点的电压;以及

锁存感测节点的电压,作为第二数据。

17.如权利要求15所述的非易失性存储器件,其中在感测操作中分别锁存的数据包括硬判决读取数据和多个软判决读取数据。

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