[发明专利]晶片加工方法

说明书

技术领域

本发明涉及晶片加工方法，该晶片加工方法用于将晶片沿着形成为格子状的间隔道分割为一个个器件,所述晶片在表面由所述间隔道划分出的多个区域形成所述器件。

背景技术

在半导体器件制造工序中，在大致圆板形状的半导体晶片的表面，通过排列为格子状的称为间隔道（street）的分割预定线划分出多个区域，并且在所述划分出的区域中形成IC（Integrated Circuit，集成电路）、LSI（Large Scale Integration，大规模集成电路）等器件。并且，通过将半导体晶片沿间隔道切断，从而将形成有器件的区域分割开来制造一个个器件。而且，对于在蓝宝石基板和碳化硅基板的表面层叠氮化镓类化合物半导体等而成的光器件晶片，也通过沿间隔道切断而分割成一个个发光二极管、激光二极管等光器件，并广泛利用在电器设备中。

作为沿间隔道分割晶片的方法，尝试了下述激光加工方法：采用相对于晶片具有透过性的脉冲激光光线，将聚光点对准应分割的区域的内部地照射脉冲激光光线。采用该激光加工方法的分割方法为：从晶片的一个表面侧将聚光点对准内部地沿间隔道照射波长相对于晶片具有透过性的脉冲激光光线，沿间隔道在晶片的内部连续形成改性层，通过沿着因形成所述改性层而强度降低了的间隔道施加外力，从而将晶片分割为一个个器件。（例如，参照专利文献1。）

然而，通过上述专利文献1记载的分割方法分割出的一个个器件的侧面残留有改性层，因此，存在着器件的抗折强度降低，器件的质量下降的问题。

为了消除该种问题，提出有下述晶片加工方法：通过沿间隔道照射波长相对于晶片具有透过性的脉冲激光光线，从晶片的背面形成预定厚度的改性层，在将晶片沿着形成有改性层的间隔道分割后，磨削晶片的背面以除去改性层。（例如，参照专利文献2。）

专利文献1：日本专利第3408805号公报

专利文献2：日本特开2005-86161号公报

在上述专利文献2所公开的晶片加工方法中，必须另行准备分割装置，所述分割装置用于将沿间隔道从背面形成有预定厚度的改性层的晶片沿着形成有改性层的间隔道分割开。

发明内容

本发明正是鉴于上述事实而完成的，其主要的技术课题在于提供一种晶片加工方法，其不使用分割装置，将沿间隔道从背面形成有预定厚度的改性层的晶片沿形成有改性层的间隔道分割开，并对分割出的晶片的背面进行磨削以除去改性层。

为解决上述主要的技术课题，根据本发明，提供一种晶片加工方法，所述晶片加工方法用于将晶片沿形成为格子状的间隔道分割开，所述晶片在表面由间隔道划分出的多个区域形成有器件，所述晶片加工方法的特征在于，

所述晶片加工方法包括：

保护带粘贴工序，在该保护带粘贴工序中，将保护带粘贴在晶片的表面；

改性层形成工序，在该改性层形成工序中，使用具有卡盘工作台的激光加工装置，所述卡盘工作台具有用于保持晶片的保持面且构成为能够在保持面作用负压和空气压力，通过将晶片的保护带侧载置在所述卡盘工作台的所述保持面并在所述保持面作用负压，从而将晶片抽吸保持在所述保持面上，从晶片的背面侧沿间隔道照射波长相对于晶片具有透过性的激光光线，在晶片内部沿间隔道形成改性层，所述改性层的深度为从晶片的表面起未达到器件的精加工厚度的深度；

晶片分割工序，在该晶片分割工序中，将对实施了所述改性层形成工序的晶片进行抽吸保持的卡盘工作台所进行的抽吸保持解除，并且，一边对在所述保持面载置的晶片在水平面内的移动进行限制一边对晶片作用空气压力，从而沿着形成有改性层的间隔道将晶片分割为一个个器件；以及

改性层除去工序，在该改性层除去工序中，对实施了所述晶片分割工序的晶片的背面进行磨削，将晶片形成为器件的精加工厚度，从而除去改性层。

而且，根据本发明，提供一种晶片加工方法，所述晶片加工方法用于将晶片沿形成为格子状的间隔道分割开，所述晶片在表面由间隔道划分出的多个区域形成有器件，所述晶片加工方法的特征在于，

所述晶片加工方法包括：

保护带粘贴工序，在该保护带粘贴工序中，将保护带粘贴在晶片的表面；

改性层形成工序，在该改性层形成工序中，从晶片的背面侧沿间隔道照射波长相对于晶片具有透过性的激光光线，在晶片内部沿间隔道形成改性层，所述改性层的深度为从晶片的表面起未达到器件的精加工厚度的深度；