[发明专利]晶片加工方法

权利要求书

1.一种晶片加工方法，所述晶片加工方法用于将晶片沿形成为格子状的间隔道分割开，所述晶片在表面由间隔道划分出的多个区域形成有器件，所述晶片加工方法的特征在于，

所述晶片加工方法包括：

保护带粘贴工序，在该保护带粘贴工序中，将保护带粘贴在晶片的表面；

改性层形成工序，在该改性层形成工序中，使用具有卡盘工作台的激光加工装置，所述卡盘工作台具有用于保持晶片的保持面且构成为能够在保持面作用负压和空气压力，通过将晶片的保护带侧载置在所述卡盘工作台的所述保持面并在所述保持面作用负压，从而将晶片抽吸保持在所述保持面上，从晶片的背面侧沿间隔道照射波长相对于晶片具有透过性的激光光线，在晶片内部沿间隔道形成改性层，所述改性层的深度为从晶片的表面起未达到器件的精加工厚度的深度；

晶片分割工序，在该晶片分割工序中，将对实施了所述改性层形成工序的晶片进行抽吸保持的卡盘工作台所进行的抽吸保持解除，并且，一边对在所述保持面载置的晶片在水平面内的移动进行限制一边对晶片作用空气压力，从而沿着形成有改性层的间隔道将晶片分割为一个个器件；以及

改性层除去工序，在该改性层除去工序中，对实施了所述晶片分割工序的晶片的背面进行磨削，将晶片形成为器件的精加工厚度，从而除去改性层。

2.根据权利要求1所述的晶片加工方法，其中，

在实施所述保护带粘贴工序之后且实施所述改性层形成工序之前实施预磨削工序，在该预磨削工序中，磨削晶片的背面，将晶片形成为预定的厚度，所述预定的厚度是能够在所述改性层形成工序中形成合适的改性层的厚度。

3.一种晶片加工方法，所述晶片加工方法用于将晶片沿形成为格子状的间隔道分割开，所述晶片在表面由间隔道划分出的多个区域形成有器件，所述晶片加工方法的特征在于，

所述晶片加工方法包括：

保护带粘贴工序，在该保护带粘贴工序中，将保护带粘贴在晶片的表面；

改性层形成工序，在该改性层形成工序中，从晶片的背面侧沿间隔道照射波长相对于晶片具有透过性的激光光线，在晶片内部沿间隔道形成改性层，所述改性层的深度为从晶片的表面起未达到器件的精加工厚度的深度；

晶片分割工序，在该晶片分割工序中，使用具有卡盘工作台的磨削装置，所述卡盘工作台具有用于保持晶片的保持面且构成为能够在所述保持面作用负压和空气压力，将实施了所述改性层形成工序的晶片的保护带侧载置在所述卡盘工作台的所述保持面，通过一边对在所述保持面载置的晶片在水平面内的移动进行限制一边作用空气压力，从而将晶片沿着形成有改性层的间隔道分割为一个个器件；以及

改性层除去工序，在该改性层除去工序中，在实施所述晶片分割工序后，通过在所述磨削装置的所述卡盘工作台的所述保持面作用负压从而将晶片抽吸保持在所述保持面上，通过磨削晶片的背面而将晶片形成为器件的精加工厚度，来除去改性层。

4.根据权利要求3所述的晶片加工方法，其中，

在实施上述保护带粘贴工序之后且实施上述改性层形成工序之前，实施预磨削工序，在该预磨削工序中，磨削晶片的背面，将晶片形成为预定厚度，所述预定厚度是能够在改性层形成工序中形成合适的改性层的厚度。