[发明专利]用于锁相环的电子设备及方法在审
申请号: | 201210375125.3 | 申请日: | 2012-09-29 |
公开(公告)号: | CN103036557A | 公开(公告)日: | 2013-04-10 |
发明(设计)人: | P·萨伦;M·迪特尔;K·德万 | 申请(专利权)人: | 德克萨斯仪器德国股份有限公司 |
主分类号: | H03L7/085 | 分类号: | H03L7/085;H03L7/099 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人: | 赵蓉民 |
地址: | 德国*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 锁相环 电子设备 方法 | ||
1.一种电子设备,包括:锁相环PLL,所述锁相环包括相频检测器PFD、第一电荷泵CP1、受控振荡器VCO、分频器DIV、第二电荷泵CP2以及控制级DCONT,其中所述相频检测器PFD的输出偶联到所述第一电荷泵CP1并且所述第一电荷泵CP 1的输出偶联到所述受控振荡器VCO的第一控制输入,所述相频检测器PFD的所述输出还偶联到所述第二电荷泵CP2的输入,所述第二电荷泵CP2的输出偶联到所述控制级DCONT的输入,所述控制级DCONT的输出偶联到所述受控振荡器VCO的第二控制输入,所述受控振荡器VCO的输出偶联到所述分频器DIV的输入,所述分频器的输出偶联到所述相频检测器PFD的输入,所述控制级DCONT包括N个存储元件S1、…、SN,其中每个存储元件具有偶联到所述控制级DCONT的输出的输出,所述N个存储元件偶联成一串从而使得在所述串中除了第一个存储元件S1和最后一个存储元件SN之外的每个存储元件Si偶联到在先存储元件Si-K1以及在后存储元件Si+K2,并且每个存储元件可以模拟模式配置,其中所述存储元件的存储节点处的存储信号响应于所述第二电荷泵CP2的输出信号而连续改变,并且每个存储元件可以数字模式配置,其中所述存储值是来自一组预定值的一个值并且如果在先存储元件和在后存储元件为数字模式并且具有不同的所述存储信号的值,则所述存储元件被进一步配置为采用模拟模式,并且其中至少两个存储元件共享用于在所述存储节点处存储所述存储信号的存储电容。
2.根据权利要求1所述的电子设备,其中共享存储电容器的所述至少两个存储元件在所述存储元件串中不是直接相邻。
3.根据权利要求1所述的电子设备,其中提供了在所有存储元件之间共享的k个存储电容并且其中k是大于2的整数。
4.根据权利要求1所述的电子设备,其中k等于4。
5.根据上述权利要求中任一项所述的电子设备,其中如果所述在先存储元件和所述在后存储元件为数字模式并且具有相同的所述存储信号的值,则所述存储元件被进一步配置为采用所述数字模式。
6.根据权利要求1所述的电子设备,其中处于所述数字模式的所述存储元件的存储信号的两个值是最小值和最大值。
7.根据权利要求1所述的电子设备,其中两个或更多个相邻存储元件Si、Si+1是同时处于模拟操作模式。
8.根据权利要求1所述的电子设备,其中每个存储元件包括传输门,所述传输门偶联在所述存储节点和存储电容器之间。
9.根据权利要求8所述的电子设备,其中每个存储元件的所述传输门由不与所述存储元件直接相邻的存储元件的输出控制。
10.根据权利要求1所述的电子设备,其中每个存储元件被配置为产生输出信号D,所述输出信号是所述存储信号的函数并且被馈送到所述受控振荡器以用于适配所述受控振荡器VCO的振荡频率。
11.根据权利要求1所述的电子设备,其中每个存储元件的存储节点偶联到晶体管的栅极用于控制流经所述晶体管的电流,而所述电流用作所述存储元件的输出信号D并且偶联到所述受控振荡器的所述第二输入。
12.根据权利要求1所述的电子设备,其中存储元件包括第一开关和第二开关,并且其中所述第一开关偶联在第一供电电压和所述存储节点之间并且所述第二开关偶联在第二供电电压和所述存储节点之间,并且所述第一开关被配置为响应所述在先存储元件的存储信号和所述在后存储元件的存储信号而切换并且所述第二开关被配置为响应所述在后存储元件的存储信号和所述在先存储元件的存储信号而切换,从而使得所述第一开关仅当两个存储信号都低于阈值水平时闭合,即连接,并且所述第二开关仅当两个存储信号都高于阈值水平时闭合,即连接。
13.一种控制受控振荡器的方法,所述方法包括以下步骤:确定所述受控振荡器的输出时钟信号与参考时钟信号之间的相位差和/或频率差,生成所述受控振荡器的第一输入信号用于基于所确定的相位差和/或频率差精细调谐所述受控振荡器的频率,生成所述受控振荡器的第二输入信号用于基于所确定的相位差和/或频率粗调谐,其中所述第二信号包括第一组数字信号、第二组数字信号以及指示所述第一组数字信号与所述第二组数字信号之间的中间值的模拟信号。
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