[发明专利]一种半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于该方法制造包括：

提供一基材；

在该基材上形成一介电层；

在该介电层内提供一开口；

在该介电层与该开口上利用物理气相沉积法形成一第一钛层；

在该第一导电层上利用化学气相沉积法形成一第二钛层；以及

在该第二钛层上形成一势垒层；

其中该第一钛层与该第二钛层直接接触。

2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于其中所述的第一钛层具有一介于5至30埃的厚度。

3.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于其中于该介电层内提供该开口的步骤包括移除部分该介电层。

4.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于其中所述的势垒层包括氮化钛、氮化钽、氮化钨以及钨化钛或其组合的至少其中之一。

5.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于其更包括在一含有氮气的腔室中回火该势垒层。

6.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于其更包括于该势垒层上形成一金属层以填充该开口。

7.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于其中所述的势垒层的厚度为5至500埃。

8.一种半导体装置，其特征在于其包括：

一基材；

一介电层，位于该基材上，该介电层内具有一开口；

一第一钛层，位于该基材上及该开口内；

一第二钛层，位于该第一钛层上；以及

一势垒层，位于该第二钛层上；

其中，该第一钛层是利用物理气相沉积法形成，该第二钛层是利用化学气相沉积法形成，并且该第一钛层与该第二钛层直接接触。

9.根据权利要求8所述的半导体装置，其特征在于其中所述的第一钛层的厚度介于5至30埃。

10.根据权利要求8所述的半导体装置，其特征在于其中所述的第二钛层包括以氯化钛形成的一钛层，且该第二钛层的厚度介于5至100埃。

11.根据权利要求8所述的半导体装置，其特征在于其中所述的势垒层包括以氯化钛与氨形成的一氮化钛层，且该势垒层的厚度介于20至200埃。