[发明专利]一种分子筛表面羟基的氘代方法

权利要求书

1.一种分子筛表面羟基的氘代方法，具体步骤如下：

（1）将分子筛装入具备真空环境和加热功能的样品池中，并在400～600℃的温度下进行脱水处理，除去分子筛中的水分；

（2）冷却到20～40℃，在不破坏真空环境的情况下，通入氘代吡啶，然后升温至300～400℃，以使氢和氘原子间进行交换反应；

（3）将氘代后的分子筛在真空环境下进行高温处理，处理温度位于500～600℃之间，以脱除吡啶。

2.根据权利要求1所述的分子筛表面羟基的氘代方法，其特征在于，所述分子筛为氢型硅铝分子筛。

3.根据权利要求2所述的分子筛表面羟基的氘代方法，其特征在于，所述氢型硅铝分子筛，可选BETA、L、MAZ、MFI、FER、MOR、Y型分子筛中的一种或几种。

4.根据权利要求1所述的分子筛表面羟基的氘代方法，其特征在于，所述氘代吡啶为氘代度≥98%的氘代试剂。

5.根据权利要求1所述的分子筛表面羟基的氘代方法，其特征在于，可以使用通入惰性气体的方法来取代各步骤中的真空环境。

6.根据权利要求1所述的分子筛表面羟基的氘代方法，其特征在于，步骤（1）中脱水处理2～4小时；步骤（2）中交换反应1～3小时；步骤（3）中脱除吡啶1～3小时。