[发明专利]阵列基板及其制作方法、显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种阵列基板及其制作方法、显示装置。

背景技术

在薄膜晶体管液晶显示器（TFT-LCD）的产品开发过程中，会出现面板（panel）的各种不良，迅速解决或修复这些不良的能力是衡量一个公司产品开发水平的一个重要指标。传统的阵列基板如图1a和1b所示，包括：若干栅线1、数据线2及栅线1和数据线2围成的若干像素单元，对于Cs on common的结构如图1a，还包括公共电极线5。其中像素单元包括：TFT3和像素电极4，该阵列基板上只有在栅线1（gate线）和数据线2（data线）两端才有每条栅线1和数据线2的序号，所以在解析或修复不良时很难在阵列基板的有源（active）区域精确地辨识出每个子像素的具体坐标位置。现有的解析方法是借助激光在某个像素打上标记，然后细心寻线到对应的data pad和gatepad，最后才能确定出该像素的具体坐标，不难看出这种方法不仅耗时，而且会对样品造成无法复原的破坏，此时如果要利用SEM，TEM，FIB，EDX等手段对该像素附近的区域做线宽、膜厚、元素成分的测试，则无法获得真实的数据。因此，寻求一种在阵列基板上设计像素坐标的方案可以方便的解决这一难题。随着TFT-LCD行业的飞速发展，在开发阶段提高解决或修复不良的能力已变得尤为重要。

发明内容

（一）要解决的技术问题

本发明要解决的技术问题是：如何快速确定像素单元的位置。

（二）技术方案

为解决上述技术问题，本发明提供了一种阵列基板，包括若干栅线、数据线及所述栅线和数据线围成的若干像素单元，所述阵列基板的每个像素单元中，与成盒后的黑矩阵对应区域的各膜层之一上设置有标识所述像素单元坐标的标志。

其中，所述像素单元包括：像素电极，所述像素电极上设有标识有所述标志的突出部，所述突出部与围成该像素单元的一条栅线重叠。

其中，每个所述像素单元中的突出部位于所述像素电极的同一侧，且与围成该像素单元的同一侧的栅线重叠。

其中，所述像素单元包括：像素电极，所述像素电极上设有标识有所述标志的突出部，所述突出部与围成该像素单元的一条数据线重叠。

其中，每个所述像素单元中的突出部位于所述像素电极的同一侧，且与围成该像素单元的同一侧的数据线重叠。

其中，所述像素单元包括：像素电极和公共电极，所述像素电极或公共电极上设有标识有所述标志的突出部，所述突出部与围成该像素单元的一条栅线重叠。

其中，每个所述像素单元中的突出部位于所述像素电极或公共电极的同一侧，且与围成该像素单元的同一侧的栅线重叠。

其中，所述像素单元包括：像素电极和公共电极，所述像素电极或公共电极上设有标识有所述标志的突出部，所述突出部与围成该像素单元的一条数据线重叠。

其中，每个所述像素单元中的突出部位于所述像素电极或公共电极的同一侧，且与围成该像素单元的同一侧的数据线重叠。

其中，所述标识所述像素单元坐标的标志为标识围成所述像素单元的栅线和数据线各自的序号组成的图案。

本发明还提供了一种阵列基板制作方法，包括在基板上制作阵列基板各膜层图案的步骤，在形成其中任一膜层的图案时，在该膜层上与黑矩阵对应区域，采用构图工艺形成标识像素单元坐标的标志。

其中，所述采用构图工艺形成标识像素单元坐标的标志方式为：在采用掩膜工艺形成所述膜层图案的同时，在掩膜板上增加所述标识像素单元坐标的标志的图案。

其中，所述任一膜层的图案为像素电极图案，形成所述像素电极图案的步骤为：

在当前基板上形成像素电极金属薄膜，并在所述金属薄膜上述涂覆光刻胶；

采用掩膜板对所述光刻胶曝光显影，去除像素电极区域以外的光刻胶，所述像素电极区域与其最近的一条栅线或一条数据线重叠，且去除重叠区域上所述标志对应区域的光刻胶；

刻蚀掉暴露出的像素电极金属薄膜，去除剩余的光刻胶，以形成像素电极及位于所述重叠区域的刻蚀有所述标志的像素电极的突出部。

其中，阵列基板上每个所述像素电极区域与其同一侧最近的一条栅线或数据线重叠

其中，所述任一膜层的图案为公共电极图案，形成所述公共电极图案的步骤为：

在当前基板上形成公共电极金属薄膜，并在所述金属薄膜上述涂覆光刻胶；

采用掩膜板对所述光刻胶曝光显影，去除公共电极区域以外的光刻胶，所述公共电极区域与其最近的一条栅线或一条数据线重叠，且去除重叠区域上所述标志对应区域的光刻胶；