[发明专利]显示装置、其制造方法和电子单元

说明书

技术领域

本发明涉及包括薄膜晶体管（TFT）和布线层的显示装置、制造所述显示装置的方法和电子单元。

背景技术

近年来，期望完全透明（透光）的显示器，且将ITO（铟-锡-氧化物）等的透明导电氧化物膜用作晶体管的电极。由于包含锌（Zn）、铟（In）、镓（Ga）等的氧化物半导体提供与透明导电氧化物膜的良好接触，所以正在开发其中将这种氧化物半导体用作半导体层的TFT（例如，日本未审查专利申请公开号2010-98280）。

与使用无定形硅（a-Si:H）的TFT相比，使用氧化物半导体的TFT提供更高的电子迁移率，且具有优异的电特性。另外，即使在室温附近的寒冷条件下形成使用氧化物半导体的TFT的情况下，也期望其提供高迁移率，因此，在TFT以外的电子装置如发光装置和透明导电层的领域中积极开发了这种使用氧化物半导体的TFT（例如，日本未审查专利申请公开（公开的PCT申请的日文翻译）号2007-519256；日本未审查专利申请公开号2008-85048；Cetin Kilic，et al.，“通过氢的氧化合物的n型掺杂（n-type doping of oxides by hydrogen）”，Applied Physics Letters，July 1，2002，vol.81，No1，pp 73-75；and Japan Society for the Promotion of Science，The166th Committee on Photonic and Electronic Oxide ed.，“Technology of Transparent Conductive Layer”pp 150-152）。

作为使用氧化物半导体的TFT，已经报导了底栅型TFT和顶栅型TFT。底栅型的结构与在液晶显示器中目前使用的底栅型无定形硅TFT的结构类似，因此，也可以使用无定形硅TFT的制造方法。底栅型的TFT在其基板上依次包括栅电极、栅极绝缘膜、半导体薄膜和源极/漏极电极，且所述源极/漏极电极之一连接至布线层如扫描线和信号线。由于透明导电氧化物膜的电阻高，所以难以将透明导电氧化物膜用作主要布线层。因此，将低电阻金属如铝（Al）用作上述布线层。

发明内容

然而，由低电阻金属制成的这种布线层与由ITO制成的源极/漏极电极的离子化倾向方面彼此大大不同。因此，在形成源极/漏极电极时，如果在使它们电连接的状态下将布线层和源极/漏极电极浸渍在化学溶液如脱胶溶液中，则存在如下问题：在具有更大离子化倾向的布线（Al）处发生腐蚀（电解腐蚀），且布线的电阻变得不稳定。

期望提供一种具有稳定的电特性的显示装置，其中抑制了TFT的电极和布线层的电解腐蚀的发生；制造所述显示装置的方法；和电子单元。

根据本发明的一个实施方式，提供了一种显示装置，包括：薄膜晶体管；和布线层；所述薄膜晶体管包括控制电极，面对所述控制电极的半导体层，由透光材料制成且电连接至所述半导体层的第一电极，以及包括电阻低于所述透光材料的电阻的金属膜的第二电极，所述第二电极电连接至所述半导体层和所述布线层中的每一个，其中构成所述金属膜的材料和构成所述布线层的一部分或全部的导电材料之间的离子化倾向（电离倾向，ionization tendency）之差小于所述透光材料和所述导电材料之间的离子化倾向之差。

根据本发明的一个实施方式，提供了一种具有显示装置的电子单元，所述显示装置包括：薄膜晶体管；和布线层；所述薄膜晶体管包括控制电极，面对所述控制电极的半导体层，由透光材料制成且电连接至所述半导体层的第一电极，以及包括电阻低于所述透光材料的电阻的金属膜的第二电极，所述第二电极电连接至所述半导体层和所述布线层中的每一个，其中构成所述金属膜的材料和构成所述布线层的一部分或全部的导电材料之间的离子化倾向之差小于所述透光材料和所述导电材料之间的离子化倾向之差。

根据本发明的一个实施方式，提供了一种制造显示装置的方法，所述方法包括：形成薄膜晶体管和布线层，所述薄膜晶体管的形成包括：设置控制电极和面对所述控制电极的半导体层；设置由透光材料制成且电连接至所述半导体层的第一电极；和通过以使得金属膜电连接至所述半导体层和所述布线层的方式形成电阻低于所述透光材料的电阻的金属膜，之后将所述金属膜图案化而形成第二电极，其中构成所述金属膜的材料和构成所述布线层的一部分或全部的导电材料之间的离子化倾向之差小于所述透光材料和所述导电材料之间的离子化倾向之差。