[发明专利]显示装置、其制造方法和电子单元有效

专利信息
申请号: 201210371777.X 申请日: 2012-09-28
公开(公告)号: CN103035737A 公开(公告)日: 2013-04-10
发明(设计)人: 寺井康浩;荒井俊明 申请(专利权)人: 索尼公司
主分类号: H01L29/786 分类号: H01L29/786;H01L27/02;H01L21/77
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 代理人: 张英;王玉桂
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 显示装置 制造 方法 电子 单元
【权利要求书】:

1.一种显示装置,包括:

薄膜晶体管;和

布线层;

所述薄膜晶体管包括:

控制电极,

面对所述控制电极的半导体层,

第一电极,由透光材料制成并且电连接至所述半导体层,和

第二电极,包括电阻低于所述透光材料的电阻的金属膜,所述第二电极电连接至所述半导体层和所述布线层中的每一个,其中

构成所述金属膜的材料与构成部分或全部所述布线层的导电材料之间的离子化倾向之差小于所述透光材料与所述导电材料之间的离子化倾向之差。

2.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述导电材料和构成所述金属膜的材料是相同材料。

3.根据权利要求1所述的显示装置,其中,

在由所述透光材料制成的膜上层压所述第二电极的所述金属膜,并且

所述布线层包括由所述透光材料制成的膜和层压在由所述透光材料制成的膜上的由导电材料制成的膜。

4.根据权利要求1所述的显示装置,其中,

所述透光材料是铟-锡-氧化物,并且

所述金属膜是铝膜。

5.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述半导体层由氧化物半导体构成。

6.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述半导体层的厚度为5nm至100nm。

7.一种制造显示装置的方法,所述方法包括形成薄膜晶体管和布线层,所述形成薄膜晶体管包括:

提供控制电极和面对所述控制电极的半导体层;

提供由透光材料制成并且电连接至所述半导体层的第一电极;和

通过以使得金属膜电连接至所述半导体层和所述布线层的方式来形成电阻低于所述透光材料的电阻的金属膜,之后将所述金属膜图案化而形成第二电极,其中

构成所述金属膜的材料与构成部分或全部所述布线层的导电材料之间的离子化倾向之差小于所述透光材料与所述导电材料之间的离子化倾向之差。

8.根据权利要求7所述的制造显示装置的方法,其中,在所述第二电极的形成期间,依次形成由所述透光材料制成的膜和所述金属膜,之后将由所述透光材料制成的膜和所述金属膜图案化。

9.根据权利要求8所述的制造显示装置的方法,其中,在由所述透光材料制成的膜和所述金属膜的图案化期间,在所述金属膜上设置第一抗蚀剂层以将所述金属膜图案化,并且在将所述金属膜图案化之后,在所述第一抗蚀剂层上形成第二抗蚀剂层以将由所述透光材料制成的膜图案化。

10.一种具有显示装置的电子单元,所述显示装置包括:

薄膜晶体管;和

布线层;

所述薄膜晶体管包括:

控制电极,

面对所述控制电极的半导体层,

第一电极,由透光材料制成并且电连接至所述半导体层,和

第二电极,包括电阻低于所述透光材料的电阻的金属膜,所述第二电极电连接至所述半导体层和所述布线层中的每一个,其中

构成所述金属膜的材料与构成部分或全部所述布线层的导电材料之间的离子化倾向之差小于所述透光材料与所述导电材料之间的离子化倾向之差。

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