[发明专利]光刻胶用剥离液组合物及其制备和应用

说明书

技术领域

本发明涉及一种光刻胶用剥离液组合物及其制备和应用。

背景技术

近年来，随着集成电路高密度化，微细蚀刻技术成为主流，在蚀刻后除去不要的光刻胶层时，要求在图案的侧壁和底部不会产生残渣，因为这些残渣和淀积物如不完全除去会影响半导体器件的性质，使得良品率降低，因此有必要将这些残渣物剥离。

目前常用的一种光刻胶剥离液组合物，其主要由脂肪族醇聚氧乙烯醚，环己酮和单乙醇胺组成，配方对铝布线的防腐蚀性能较好，但是对Cu布线的防腐蚀性能不好。

发明内容

为了克服现有技术中存在的上述缺陷，本发明涉及一种光刻胶用剥离液组合物，发明还涉及所述光刻胶用剥离液组合物的制备方法和应用。

本发明涉及一种光刻胶用剥离液组合物，所述组合物的主要组分及其质量份数为：a组分0.3-5份，b组分2-15份，c组分0.05-5份，d组分2-15份；所述a组分为含氟的羧酸或其盐，所述b组分为烷醇胺类或季胺氢氧化物中的至少一种碱性化合物，所述c组分为含硫防腐蚀剂，所述d组分为极性有机溶剂。

如果组分a的含量过少，光刻胶的剥离性和对铜布线的防腐蚀性都有变差的倾向；如果组分b含量过少，对光刻胶的剥离性有变差的倾向；如果组分c含量过少，则不能有效地防止Cu布线等金属线的腐蚀；作为组分d的极性溶剂将剥离的聚合物胶体溶解成单位分子水平，因此所述组分d可防止主要发生于洗涤过程中的光刻胶重新附着的不利现象，如果组分d的含量过少会影响光刻胶的剥离效果。

发明人发现，上述光刻胶用剥离液组合物主要组分的质量份数为：a组分1.0-1.5份，b组分7-10份，c组分0.3-0.6份，d组分4-10份时，所取得的剥离效果和良好的防腐蚀效果综合评价是最好的。

作为优化，上述光刻胶用剥离液组合物中，所述a组分为碳原子数2-4的烷基芳香含氟羧酸或其盐；所述b组分为单乙醇胺、二乙醇胺、丙醇胺、N-甲基乙醇胺、N-乙基乙醇胺、N-丁基乙醇胺、单异丙醇胺、二异丙醇胺、三异丙醇胺、氢氧化四甲基铵、氢氧化四乙基铵、氢氧化四丙基铵、氢氧化四丁基铵、氢氧化单甲基三丙基铵或氢氧化（2-羟基乙基）三甲基铵中的至少一种；所述c组分为二硫代双甘油、二（2,3-二羟基丙硫基）乙烯、1-硫代甘油、2-巯基乙醇或3-巯基-1-丙醇中的至少一种；所述d组分为二甲亚砜、N-甲基-2-吡咯烷酮、N,N-二甲基乙酰胺、N,N-二甲基甲酰胺、N,N-二甲基咪唑、γ-丁内酯或环丁砜中的至少一种。

作为进一步优化，所述光刻胶用剥离液组合物中，所述a组分为三氟乙酸、三氟丙酸、三氟丁酸或对三氟甲基苯甲酸中的至少一种，从对Cu布线的防腐蚀性的角度考虑，特别优选三氟乙酸和对三氟甲基苯甲酸的至少一种；所述b组分为单乙醇胺、二乙醇胺、单异丙醇胺、氢氧化四甲基铵或氢氧化四乙基铵中的至少一种；所述c组分为二硫代双甘油或1-硫代甘油中的至少一种；所述d组分为二甲亚砜、N-甲基-2-吡咯烷酮或N,N-二甲基甲酰胺中的至少一种。

本发明还涉及一种光刻胶用剥离液组合物，所述组合物为，在上述光刻胶用剥离液组合物的基础上，还含有水，优选73-85质量份的水。

本发明还涉及制备上述光刻胶用剥离液组合物的方法，包括如下步骤：按所述质量份称取各组分，混合，所述混合可以按任何顺序进行。

本发明还涉及上述光刻胶用剥离液组合物在光刻胶剥离中的应用。

本发明实现的有益技术效果至少有：

本发明所提供的光刻胶用剥离液组合物中，含氟羧酸和烷醇胺类或季胺氢氧化物起到剥离的作用，极性溶剂和水起到将剥离的聚合物胶体溶解，防止光阻剂重新附着的不利现象。同时，含氟化合物的表面张力很低，是一种优良的表面活性剂，有利于光刻胶的剥离。所以，本发明的剥离液能很好的剥离光刻胶，而且，对金属布线有良好的防腐蚀效果。

具体实施方式