[发明专利]集成电路及其设计方法

权利要求书

1.一种设计集成电路的方法，所述方法包括：

在第一标准单元中布置有源区域；

对至少一个栅电极进行布线，所述至少一个栅电极与所述第一标准单元中的所述有源区域重叠；

对至少一个金属线结构进行布线，所述至少一个金属线结构与所述第一标准单元中的所述有源区域重叠，所述至少一个金属线结构基本平行于所述栅电极；

对第一供电轨道进行布线，所述第一供电轨道基本上垂直于所述第一标准单元中的所述至少一个金属线结构，所述第一供电轨道与所述至少一个金属线结构重叠，其中，所述第一供电轨道具有与所述至少一个金属线结构相邻的平坦边缘；以及

在所述第一供电轨道与所述第一标准单元中的所述至少一个金属线结构重叠的区域中布置第一连接插塞。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，对所述至少一个金属线结构进行布线包括：

对与所述第一标准单元中的所述有源区域重叠的第一金属线进行布线；以及

对与所述第一金属线和所述第一标准单元中的所述第一供电轨道重叠的第二金属线进行布线。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述第一金属线具有第一长度，所述第一长度基本上等于或短于所述有源区域的宽度。

4.根据权利要求2所述的方法，其中，所述第二金属线具有第二长度，所述第二长度基本上等于或长于所述有源区域的宽度。

5.根据权利要求1所述的方法，还包括：

使所述第一标准单元和第二标准单元邻接，其中，所述第二标准单元包括第二供电轨道和与所述第二供电轨道重叠的第二连接插塞；以及

用第三连接插塞替换所述第一连接插塞和所述第二连接插塞，其中，所述第三连接插塞的面积大于所述第一连接插塞和所述第二连接插塞的面积总和。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，用所述第三连接插塞替换所述第一连接插塞和所述第二连接插塞包括：

确定所述第一连接插塞和所述第二连接插塞之间的间隔是否违反了设计规则检查(DRC)，其中，如果违反了DRC，则所述第一连接插塞和所述第二连接插塞被所述第三连接插塞替换。

7.根据权利要求5所述的方法，其中，用所述第三连接插塞替换所述第一连接插塞和所述第二连接插塞包括：

确定所述第一连接插塞和所述第二连接插塞之间的间隔是否违反了设计规则检查(DRC)，其中，如果违反了DRC，则所述第一连接插塞和所述第二连接插塞被合并以形成所述第三连接插塞。

8.根据权利要求5所述的方法，其中，用所述第三连接插塞替换所述第一连接插塞和所述第二连接插塞包括：

布置覆盖所述第一连接插塞的伪槽，其中，所述伪槽的面积大于所述第一连接插塞的面积；

在使所述第一标准单元和所述第二标准单元邻接之后，确定所述第二连接插塞是否与所述伪槽重叠，其中，如果所述第二连接插塞与所述伪槽重叠，则所述第一连接插塞和所述第二连接插塞被所述第三连接插塞替换或者被合并以形成所述第三连接插塞。

9.一种集成电路，包括：

第一标准单元，设置在衬底的上方，其中，所述第一标准单元包括：

有源区域；

至少一个栅电极，与所述第一标准单元中的所述有源区域重叠；

至少一个金属线结构，与所述第一标准单元中的所述有源区域重叠，所述至少一个金属线结构基本上平行于所述栅电极；

第一供电轨道，基本上垂直于所述第一标准单元中的所述至少一个金属线结构，所述第一供电轨道与所述至少一个金属线结构重叠，其中，所述第一供电轨道具有与所述至少一个金属线结构相邻的平坦边缘；以及

第一连接插塞，位于所述第一供电轨道与所述第一标准单元中的所述至少一个金属线结构重叠的区域中。

10.根据权利要求9所述的集成电路，还包括：

第二标准单元，与所述第一标准单元邻接，所述第一标准单元和所述第二标准单元共享所述第一供电轨道，其中，第二连接插塞与所述第一供电轨道重叠，所述第一标准单元和所述第二标准单元共享所述第二连接插塞，所述第二连接插塞的面积大于所述第一连接插塞的面积。