[发明专利]薄膜的形成方法和成膜装置

权利要求书

1.一种薄膜的形成方法，其用于在能够进行真空排气的处理容器内在被处理体的表面上形成晶种膜和含杂质的硅膜，其特征在于，

该薄膜的形成方法具有以下步骤：

第1步骤，向上述处理容器内供给由氨基硅烷类气体和高级硅烷之中的至少任一种气体构成的晶种膜用原料气体而在上述被处理体的表面上形成上述晶种膜；以及

第2步骤，向上述处理容器内供给硅烷类气体和含杂质气体而形成非晶态的上述含杂质的硅膜。

2.根据权利要求1所述的薄膜的形成方法，其特征在于，

在上述第2步骤中，交替地重复进行第1气体供给工序和第2气体供给工序，在该第1气体供给工序中以硅烷类气体吸附在上述被处理体的表面上的状态向上述处理容器内供给该硅烷类气体，在该第2气体供给工序中向上述处理容器内供给含杂质气体。

3.根据权利要求1所述的薄膜的形成方法，其特征在于，

在上述第2步骤中，向上述处理容器内同时供给上述硅烷类气体和上述含杂质气体。

4.根据权利要求1所述的薄膜的形成方法，其特征在于，上述硅膜的厚度为1nm～100nm。

5.一种薄膜的形成方法，其用于在能够进行真空排气的处理容器内在被处理体的表面上形成晶种膜和硅锗膜，其特征在于，

该薄膜的形成方法具有以下步骤：

第1步骤，向上述处理容器内供给由氨基硅烷类气体和高级硅烷之中的至少任一种气体构成的晶种膜用原料气体而在上述被处理体的表面上形成上述晶种膜；以及

第2步骤，向上述处理容器内供给硅烷类气体和含锗气体而形成上述硅锗膜。

6.根据权利要求5所述的薄膜的形成方法，其特征在于，

在上述第2步骤中，为了使上述硅锗膜含有杂质而使用含杂质气体。

7.根据权利要求6所述的薄膜的形成方法，其特征在于，

在上述第2步骤中，交替地重复进行第1气体供给工序和第2气体供给工序，在该第1气体供给工序中以上述硅烷类气体和上述含锗气体吸附在上述被处理体的表面上的状态向上述处理容器内供给上述硅烷类气体和上述含锗气体，在该第2气体供给工序中向上述处理容器内供给含杂质气体。

8.根据权利要求6所述的薄膜的形成方法，其特征在于，

在上述第2步骤中，向上述处理容器内同时供给上述硅烷类气体、上述含锗气体以及上述含杂质气体。

9.根据权利要求5所述的薄膜的形成方法，其特征在于，

上述含锗气体由从甲锗烷和Ge₂H₆组成的组中选择的1种以上的气体构成。

10.根据权利要求5所述的薄膜的形成方法，其特征在于，

上述硅锗膜的厚度为1nm～100nm。

11.根据权利要求1所述的薄膜的形成方法，其特征在于，

上述第1步骤的工艺温度在25℃～550℃的范围内。

12.根据权利要求1所述的薄膜的形成方法，其特征在于，

上述第1步骤的工艺温度和上述第2步骤的工艺温度设定得相同。

13.根据权利要求1所述的薄膜的形成方法，其特征在于，

将上述氨基硅烷类气体和上述高级硅烷用作上述第1步骤中的晶种膜用原料气体。

14.根据权利要求13所述的薄膜的形成方法，其特征在于，

在上述第1步骤中，最先使上述氨基硅烷类气体流动，接着使上述高级硅烷流动。

15.根据权利要求13所述的薄膜的形成方法，其特征在于，

在上述第1步骤中，将由最先使上述氨基硅烷类气体流动的工序和接着使上述高级硅烷流动的工序构成的1个序列进行多次。

16.根据权利要求13所述的薄膜的形成方法，其特征在于，

在上述第1步骤中，同时使上述氨基硅烷类气体和上述高级硅烷流动。

17.根据权利要求2所述的薄膜的形成方法，其特征在于，

上述第1气体供给工序的工艺温度和第2气体供给工序的工艺温度分别在350℃～600℃的范围内。