[发明专利]可双向追踪时序参数的记忆装置有效

专利信息
申请号: 201210366277.7 申请日: 2012-09-27
公开(公告)号: CN103000222A 公开(公告)日: 2013-03-27
发明(设计)人: 陈和颖;张宏任;夏濬 申请(专利权)人: 钰创科技股份有限公司
主分类号: G11C11/4063 分类号: G11C11/4063
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人: 梁挥;常大军
地址: 中国台湾新竹科*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 双向 追踪 时序 参数 记忆 装置
【权利要求书】:

1.一种可双向追踪时序参数的记忆装置,其特征在于,包含:

一动态随机存取记忆体,其包含:

一记忆单元;

一字符线,用来开启或关闭该记忆单元;

一位元线,用来将一第一电荷写入该记忆单元,或接收该记忆单元内存的一第二电荷;

一第一双向追踪电路,用来检测一第一时序参数,其中该第一时序参数相关于开启该字符线或关闭该字符线的动作;以及

一第二双向追踪电路,用来检测一第二时序参数,其中该第二时序参数相关于开启该位元线、关闭该位元线、通过该位元线将该第一电荷写入该记忆单元、或通过该位元线从该记忆单元读取该第二电荷的动作。

2.根据权利要求1所述的可双向追踪时序参数的记忆装置,其特征在于,该第一双向追踪电路包含:

一第一输入端和一第二输入端;

一第一输出端和一第二输出端;

一追踪字符线,耦接于该第一输出端和该第二输出端之间;

一第一开关,其包含:

一第一端,耦接至一第一偏压;

一第二端,耦接至该第一输出端;以及

一控制端,耦接该第一输入端;以及

一第二开关,其包含:

一第一端,耦接至一第二偏压,其中该第二偏压的电位低于该第一偏压的电位;

一第二端,耦接至该第二输出端;以及

一控制端,耦接该第二输入端。

3.根据权利要求2所述的可双向追踪时序参数的记忆装置,其特征在于,该第一开关和第二开关为互补晶体管。

4.根据权利要求2所述的可双向追踪时序参数的记忆装置,其特征在于,

该第一时序参数为一列地址至行地址延迟时间(;

该第一输入端用来接收相关于该第一时序参数的一输入信号;而

该第二输出端用来输出相关于该第一时序参数的一输出信号。

5.根据权利要求2所述的可双向追踪时序参数的记忆装置,其特征在于,

该第一时序参数为一列地址预充电时间;

该第二输入端用来接收相关于该第二时序参数的一输入信号;而

该第一输出端用来输出相关于该第一时序参数的一输出信号。

6.根据权利要求1所述的可双向追踪时序参数的记忆装置,其特征在于,该第二双向追踪电路包含:

一第一输入端和一第二输入端;

一第一输出端、一第二输出端和一第三输出端;

一隔绝电路,耦接于该第一输出端和该第二输出端之间;

一追踪位元线,串接于该隔绝电路且耦接于该第一输出端和该第二输出端之间;

一追踪记忆单元,耦接于该第二输出端和该第三输出端之间;

一第一开关,其包含:

一第一端,耦接至一第一偏压;

一第二端,耦接至该第一输出端;以及

一控制端,耦接该第一输入端;以及

一第二开关,其包含:

一第一端,耦接至一第二偏压,其中该第二偏压的电位低于该第一偏压的电位;

一第二端,耦接至该第三输出端;以及

一控制端,耦接该第二输入端。

7.根据权利要求6所述的可双向追踪时序参数的记忆装置,其特征在于,该第一开关和第二开关为互补晶体管。

8.根据权利要求6所述的可双向追踪时序参数的记忆装置,其特征在于,

该第二时序参数为一列地址至行地址延迟时间或一写入回复时间;

该第一输入端用来接收相关于该第二时序参数的一输入信号;而

该第三输出端用来输出相关于该第二时序参数的一输出信号。

9.根据权利要求6所述的可双向追踪时序参数的记忆装置,其特征在于,

该第二时序参数为一列地址预充电时间或一过充电时间;

该第一输入端用来接收相关于该第二时序参数的一输入信号;而

该第二输出端用来输出相关于该第二时序参数的一输出信号。

10.根据权利要求6所述的可双向追踪时序参数的记忆装置,其特征在于,

该第二时序参数为一列地址至行地址延迟时间;

该第二输入端用来接收相关于该第二时序参数的一输入信号;而

该第一输出端用来输出相关于该第二时序参数的一输出信号。

11.根据权利要求1所述的可双向追踪时序参数的记忆装置,其特征在于,该第一双向追踪电路和该第二双向追踪电路的元件线宽大于该动态随机存取记忆体的元件线宽。

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