[发明专利]一种金属氧化物薄膜场效应晶体管有源层的制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及电子材料技术领域，尤其涉及一种采用静电纺丝制备金属氧化物薄膜场效应晶体管有源层的方法。

背景技术

随着信息时代的到来，显示器正加速向平板化、节能化的方向发展，其中以薄膜晶体管（TFT）为开关的有源阵列矩阵驱动显示器成为众多平板显示技术中的佼佼者。金属氧化物半导体TFT具有低温生长、高迁移率、大的电流开关比的优点。同时又能提高显示器的响应速度，满足高清晰、大容量终端显示的要求，具有取代Si基器件成为下一代薄膜晶体管技术的可能，有很大的应用前景。

目前，用于制备金属氧化物薄膜晶体管有缘层的方法主要有真空沉积，溶液旋涂和喷墨印刷方法。真空沉积需要较严格真空设备，操作复杂，而且生产成本高，不利于工业化生产。旋涂成膜容易出现针孔现象，膜不连续，对器件性能产生很大的影响。而喷墨印刷存在着对墨水的粘度、表面张力等物理化学性质要求极为苛刻，同时印刷设备本身的成本高的缺陷。因此，开发一种低成本，同时能更好地改善有缘层薄膜质量的制备方法来获得高性能的金属氧化物晶体管显得尤为迫切。

发明内容

为解决上述问题，本发明提供一种金属氧化物薄膜场效应晶体管有源层的制备方法，其步骤包括：

A：将粘合剂、有机溶剂和含有锌、铟、镓或锡中至少一种元素的金属盐混合形成的前驱体，利用静电纺丝技术将所述前驱体喷射至接收板上，从而形成复合纳米纤维膜；

B:将步骤A所获得的复合纳米纤维膜在400～800℃煅烧2～4h，从而获得金属氧化物薄膜场效应晶体管的有源层。

其中，所述金属盐与所述粘合剂的质量比为1~15:1~5。

其中，所述金属盐为醋酸锌、硝酸铟、硝酸镓、硝酸锡或亚硝酸锡中至少一种；所述粘合剂为聚乙烯吡咯烷酮。

为了让金属盐及粘合剂充分混合均匀，步骤A中所述前驱体溶液的制备步骤为：将所述金属盐、粘合剂在所述有机溶剂中混合，搅拌1～4h。

其中，所述有机溶剂为氯仿、乙醇、丙酮、二氯甲烷或甲苯中的一种。

其中，所述粘合剂为聚乙烯基吡咯烷酮，聚乙烯醇，聚乙烯，聚(丁二烯-苯乙烯)，聚酰胺，聚丙烯腈、聚丙烯酸、聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯中的至少一种。

其中，所述电纺丝法，是在10～100KV电压下将所述组合物喷射到接收板上。

进一步地，所述电纺丝法的工作设备包括喷丝管，所述喷丝管的管头内径为0.5～5mm；所述喷丝管到所述接收板的距离为5～15cm。

进一步地，本发明方法适合多种结构的金属氧化物薄膜场效应晶体管的制作，具体为底栅-顶接触、底栅-底接触、顶栅-底接触、顶栅-顶接触的结构中的一种。

其中，所述金属氧化物薄膜场效应晶体管还包括源极和漏极，所述源极和漏极的制作方法是气溶胶印刷法、喷墨印刷法、磁控溅射、光刻、真空蒸镀沉积之一。

其中，所述源极和漏极的材质是金、银、铜或PEDOT:PSS聚合物材料中的一种。

有益效果：本发明提供了一种金属氧化物薄膜场效应晶体管其有源层的制作方法。通过电纺丝技术实现低成本、大规模的纳米尺度、高性能场效应晶体管的制作。同时，该制备方法要求的环境很宽松，不需要在手套箱等无水无氧环境下实施，简化了工艺，且制得的有机电子器件具有很强的抗水氧能力，很好地简化了有源层的制作方法，同时改善了有源层的性能，获得高性能的场效应晶体管。

附图说明

图1为本发明实施例1底栅-顶接触型的金属氧化物薄膜场效应晶体管的结构示意图。

图2为本发明实施例1有源层的制作流程图。

图3为本发明实施例1有源层的形貌示意图。

图4为本发明实施例2顶栅-顶接触型的金属氧化物薄膜场效应晶体管的结构示意图。

图5为本发明实施例3顶栅-底接触型的金属氧化物薄膜场效应晶体管的结构示意图。

图6为本发明实施例4底栅-底接触型的金属氧化物薄膜场效应晶体管的结构示意图。

具体实施方式

下面将结合附图对本发明具体实施例进行详细叙述。

实施例1

本实施例以底栅-顶接触型的金属氧化物薄膜场效应晶体管为例。如图1所示，这种金属氧化物薄膜场效应晶体管从下至上依次为衬底1、栅电极2、绝缘层3、有源层5、源极4a和漏极4b。其中，有源层5的制备方法如下：