[发明专利]一种金属氧化物薄膜场效应晶体管有源层的制备方法无效
申请号: | 201210366188.2 | 申请日: | 2012-09-27 |
公开(公告)号: | CN102867756A | 公开(公告)日: | 2013-01-09 |
发明(设计)人: | 潘革波;肖燕 | 申请(专利权)人: | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
主分类号: | H01L21/336 | 分类号: | H01L21/336;D01D5/00 |
代理公司: | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人: | 杨林;马翠平 |
地址: | 215123 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 金属 氧化物 薄膜 场效应 晶体管 有源 制备 方法 | ||
1.一种金属氧化物薄膜场效应晶体管有源层的制备方法,其特征在于,其步骤包括:
A:将粘合剂、有机溶剂和含有锌、铟、镓或锡中至少一种元素的金属盐混合形成的前驱体,利用静电纺丝技术将所述前驱体喷射至接收板上形成复合纳米纤维膜;
B:将步骤A所获得的复合纳米纤维膜在400~800℃煅烧2~4h,从而获得金属氧化物薄膜场效应晶体管的有源层。
2.根据权利要求1所述有源层的制备方法,其特征在于,所述金属盐与所述粘合剂的质量比为1~15:1~5。
3.根据权利要求1或2所述有源层的制备方法,其特征在于,所述金属盐为醋酸锌、硝酸铟、硝酸镓、硝酸锡或亚硝酸锡中至少一种。
4.根据权利要求1所述有源层的制备方法,其特征在于,步骤A中所述前驱体溶液的制备步骤为:将所述金属盐、粘合剂在所述有机溶剂中混合,搅拌1~4h。
5.根据权利要求1所述有源层的制备方法,其特征在于,所述有机溶剂为氯仿、乙醇、丙酮、二氯甲烷或甲苯中的一种。
6.根据权利要求1所述有源层的制备方法,其特征在于,所述粘合剂为聚乙烯基吡咯烷酮,聚乙烯醇,聚乙烯,聚(丁二烯-苯乙烯),聚酰胺,聚丙烯腈、聚丙烯酸、聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯中的至少一种。
7.根据权利要求1所述有源层的制备方法,其特征在于,所述电纺丝法,是在10~100KV电压下将所述组合物喷射到接收板上。
8.根据权利要求1所述有源层的制备方法,其特征在于,所述电纺丝法的工作设备包括喷丝管,所述喷丝管的管头内径为0.5~5mm;所述喷丝管到所述接收板的距离为5~15cm。
9.根据权利要求1所述有源层的制备方法,其特征在于,所述金属氧化物薄膜场效应晶体管为底栅-顶接触、底栅-底接触、顶栅-底接触、顶栅-顶接触的结构中的一种。
10.根据权利要求1所述有源层的制备方法,其特征在于,所述金属氧化物薄膜场效应晶体管还包括源极和漏极,所述源极和漏极的制作方法是气溶胶印刷法、喷墨印刷法、磁控溅射、光刻、真空蒸镀沉积之一。
11.根据权利要求9所述有源层的制备方法,其特征在于,所述源极和漏极的材质是金、银、铜或PEDOT:PSS聚合物材料中的一种。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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