[发明专利]半导体芯片封装及用于制造该半导体芯片封装的方法

权利要求书

1.一种用于使用Sn镀覆来制造半导体芯片封装的方法，所述方法包括：

（a）在形成在IC基板上的凸块垫上形成Sn基金属镀覆层；

（b）在裸芯片的电极垫上形成Cu填料；

（c）将所述裸芯片的所述Cu填料设置在所述IC基板的所述金属镀覆层上并使所述Cu填料和所述金属镀覆层彼此结合；以及

（d）用绝缘体填充彼此结合的所述IC基板与所述裸芯片之间的空间。

2.根据权利要求1所述的用于使用Sn镀覆来制造半导体芯片封装的方法，其中，通过使用电镀或自催化镀覆方法对所述金属镀覆层进行镀覆。

3.根据权利要求2所述的用于使用Sn镀覆来制造半导体芯片封装的方法，其中，通过使用包含二硫基的作为还原剂的化合物来执行所述自催化镀覆。

4.根据权利要求1所述的用于使用Sn镀覆来制造半导体芯片封装的方法，其中，通过使用Sn、或作为Sn合金的包含Zn和In中的至少一者的Sn合金来对金属镀覆层进行镀覆。

5.根据权利要求1所述的用于使用Sn镀覆来制造半导体芯片封装的方法，其中，所述金属镀覆层的厚度在2μm或更大的范围内。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的用于使用Sn镀覆来制造半导体芯片封装的方法，其中，在步骤（a）中，将阻焊层施加至具有形成在上方的所述凸块垫的所述IC基板，以使形成有所述金属镀覆层的区域暴露。

7.根据权利要求1至5中任一项所述的用于使用Sn镀覆来制造半导体芯片封装的方法，其中，在步骤（c）中，通过使用热、压缩、热压缩、或者超声波使所述Cu填料和所述金属镀覆层彼此结合。

8.一种使用Sn镀覆的半导体芯片封装，包括：

IC基板，具有形成在所述IC基板上的凸块垫；

Sn基金属镀覆层，形成在所述凸块垫上；

Cu填料，结合至所述金属镀覆层；

裸芯片，具有形成在所述裸芯片下方的电极垫，所述电极垫结合在所述Cu填料上；以及

绝缘层，填充在所述IC基板与所述裸芯片之间的剩余空间中。

9.根据权利要求8所述的使用Sn镀覆的半导体芯片封装，其中，所述金属镀覆层通过使用Sn、或作为Sn合金的包含Zn和In中的至少一者的Sn合金来镀覆。

10.根据权利要求8所述的使用Sn镀覆的半导体芯片封装，其中，所述金属镀覆层的厚度在2μm或更大的范围内。

11.根据权利要求8所述的使用Sn镀覆的半导体芯片封装，其中，阻焊层施加至除所述凸块垫的至少部分区域以外的具有形成在上方的所述凸块垫的所述IC基板，并且

所述金属镀覆层形成在除所述阻焊层以外的所述凸块垫的部分区域上。

12.根据权利要求8至10中任一项所述的使用Sn镀覆的半导体芯片封装，其中，所述半导体芯片封装结合在主基板上以形成封装。

13.根据权利要求12所述的使用Sn镀覆的半导体芯片封装，其中，所述半导体芯片封装通过使用倒装芯片结合法、BGA方法、以及引线结合法中的任何一种结合在所述主基板上。