[发明专利]混凝土地坪研磨抛光工艺

权利要求书

1.一种混凝土地坪研磨抛光工艺，依次包含以下步骤：

（1）使用混凝土研磨机配30^#～100^#金刚刀头对新铺或翻新的混凝土地坪进行干磨，转速为600～1000转/分；

（2）将经步骤（1）干磨的混凝土地坪使用混凝土研磨机配粒度为50^#或100^#的混凝土干磨片进行干磨，转速为600～1000转/分；

（3）将经步骤（2）干磨的混凝土地坪使用混凝土研磨机依次配粒度为100^#、200^#、400^#的混凝土干磨片进行干磨，转速为600～1000转/分；

（4）用丙烯酸乳胶水泥浆料将地面因干磨而出现的洞眼填补平整；

（5）待步骤（4）的修补浆料干透后，将混凝土硬化剂喷涂于上述混凝土地坪，放置使其与地面充分反应，放置时间以地面抗压强度达到20.0MPa以上为宜，其中所述混凝土硬化剂由10～60份硅酸钠和2～10份硅酸锂用100份水稀释得到，喷涂量为每平方米0.12～0.2kg；

（6）使用混凝土研磨机配粒度为200^#、400^#和800#混凝土上光片，加混凝土密封剂，依次对经步骤（5）处理的所述混凝土地坪进行研磨，转速为800～1200转/分，其中所述混凝土密封剂由5～20份硅酸钾和5～10份甲基硅酸钾用100份水稀释得到，研磨时混凝土密封剂的用量为每平方米0.06～0. 12kg； 

（7）使用混凝土研磨机配混凝土研磨抛光垫，转速为1000～1400转/分，对经步骤（6）研磨的所述混凝土地坪进行抛光，至将所述混凝土地坪表面的细微粉尘抛除干净。

2.如权利要求1所述的混凝土地坪研磨抛光工艺，其特征在于：对经步骤（6）处理后的所述混凝土地坪使用混凝土研磨机配粒度为1500^#的混凝土上光片， 加入混凝土密封剂对所述混凝土地坪进行研磨，转速为800～1000转/分, 其中所述混凝土密封剂由5～20份硅酸钾和5～10份甲基硅酸钾用100份水稀释得到，研磨时混凝土密封剂的用量为每平方米0.06～0. 12kg，再进行步骤（7）。

3.如权利要求2所述的混凝土地坪研磨抛光工艺，其特征在于：对经混凝土研磨机配粒度为1500^#的混凝土上光片抛光的所述混凝土地坪使用混凝土研磨机，配粒度为3000^#的混凝土上光片，加入混凝土密封剂对所述混凝土地坪进行研磨，转速为800～1000转/分, 其中所述混凝土密封剂由5～20份硅酸钾和5～10份甲基硅酸钾用100份水稀释得到，研磨时混凝土密封剂的用量为每平方米0.06～0. 12kg，再进行步骤（7）。

4.如权利要求1或2所述的混凝土地坪研磨抛光工艺，其特征在于：步骤（7）中所述混凝土研磨抛光垫粒度为1500^#。

5.如权利要求3所述的混凝土地坪研磨抛光工艺，其特征在于：步骤（7）中所述混凝土研磨抛光垫粒度为3000^#。

6.如权利要求1、2、5之一所述的混凝土地坪研磨抛光工艺，其特征在于：对经混凝土研磨抛光垫抛光后的所述混凝土地坪，使用高速抛光机配百洁垫将水泥抛光浆均匀的抛涂于地面，转速为1000～1500转/分，抛光至表面光泽均匀透亮，形成镜面效果。