[发明专利]芯片封装基板和结构及其制作方法

权利要求书

1.一种芯片封装基板的制作方法，包括步骤：

依次堆叠并压合第一支撑板、第一胶片及第二支撑板，得到承载基板；

依次堆叠并压合该第四铜箔、第三胶片、第三铜箔、第二胶片、该承载基板、第四胶片、第五铜箔、第五胶片及第六铜箔；

将第四铜箔层制作形成第一导电线路层，将第六铜箔制作形成第二导电线路层；

在该第一导电线路层上依次压合第六胶片和第七铜箔，在该第二导电线路层上依次压合第七胶片和第八铜箔，形成第一多层基板；

在该第一支撑板与第二支撑板之间对该第一多层基板进行分割，并去除该第一铜箔基板、第二胶片、第二铜箔基板及第四胶片，得到相互分离的第二多层基板和第三多层基板；

在该第七铜箔和第六胶片内形成多个第一导电盲孔，在该第三铜箔和第三胶片内形成多个第二导电盲孔，并在第七铜箔和第三铜箔的其中一侧制作形成第三导电线路层，另一侧制作形成多个导电接点，该第三导电线路层与该第一导电线路层通过第一导电盲孔相互电导通，该多个导电接点与该第一导电线路层通过该多个第二导电盲孔相互电导通；及

在第三导电线路层上形成第一防焊层，该第一防焊层部分覆盖该第三导电线路层，从该第一防焊层露出的第三导电线路层构成多个电性接触垫，从而形成芯片封装基板。

2.如权利要求1所述的芯片封装基板的制作方法，其特征在于，在形成该第一防焊层之后，还在该多个电性接触垫表面分别形成第一金层，在该多个导电接点表面分别形成第二金层。

3.如权利要求1所述的芯片封装基板的制作方法，其特征在于，进一步包括步骤：在该多个导电接点一侧形成第二防焊层，该多个导电接点从该第二防焊层露出。

4.如权利要求1所述的芯片封装基板的制作方法，其特征在于，该第一支撑板为第一铜箔基板，该第二支撑板为第二铜箔基板，依次堆叠并压合第一支撑板、第一胶片及第二支撑板时，在该第一铜箔基板与该第一胶片之间还设置有第一铜箔，在该第二铜箔基板与该第一胶片之间还设置有第二铜箔，该第一铜箔基板、第一胶片及第二铜箔基板的横截面积相同，该第一铜箔、第二铜箔的横截面积相同，且该第一铜箔的横截面积小于该第一胶片的横截面积，该第一胶片包括中心区及环绕中心区的边缘区，该第一铜箔的面积略大于该中心区的横截面积；在将该第一胶片压合在第一铜箔基板和第二铜箔基板之间时，同时将该第一铜箔压合在该第一胶片与该第一铜箔基板之间，将该第二铜箔压合在该第一胶片与该第二铜箔基板之间，该第一铜箔和第二铜箔均与该第一胶片的中心区相接触，且使得该第一铜箔在第一铜箔基板表面的正投影、第二铜箔在第一铜箔基板表面的正投影均与中心区在第一铜箔基板表面的正投影重叠，从而使得第一铜箔基板和第二铜箔基板仅通过该第一胶片的边缘区粘结于一起。

5.如权利要求4所述的芯片封装基板的制作方法，其特征在于，该承载基板包括产品区及环绕产品区的废料区，所述产品区与该第一胶片的中心区相对应，且该产品区在第一铜箔基板表面的正投影位于该中心区在第一铜箔基板表面的正投影之内，在第一铜箔基板及第二铜箔基板之间对该第一多层基板进行分割时，沿着产品区与废料区的交界线对该第一多层基板进行切割，以使得产品区与废料区相分离，并使得产品区中的第一铜箔基板与第一铜箔自然脱离，产品区中的第二铜箔基板与第二铜箔自然脱离，去除产品区中自然脱离的第一铜箔、第二铜箔以及其间的第一胶片，从而得到相互分离的第二多层基板和第三多层基板。

6.如权利要求1所述的芯片封装基板的制作方法，其特征在于，在该第七铜箔和第六胶片内形成多个第一导电盲孔，在该第三铜箔和第三胶片内形成多个第二导电盲孔的方法包括步骤：

采用激光烧蚀的方式在第七铜箔和第六胶片内形成多个第一孔，在该第三铜箔和第三胶片内形成多个第二孔，使部分第一导电线路层的一侧从该多个第一孔的底部露出，部分第一导电线路层的另一侧从多个第二孔露出；及

将形成了多个第一孔和多个第二孔的第二多层基板进行全板镀铜，在第一孔内及第七铜箔表面形成第一镀铜层，在第二孔内及该第三铜箔表面形成第二镀铜层。

7.如权利要求6所述的芯片封装基板的制作方法，其特征在于，将形成了多个第一孔和多个第二孔的第二多层基板进行全板镀铜后，该第一孔处的第一镀铜层与该第七铜箔表面的第一镀铜层平齐，该第二孔处的第二镀铜层与该第三铜箔表面的第二镀铜层平齐。