[发明专利]显示装置

说明书

相关申请的交叉引用

本申请基于2012年4月19日提交的第2012-095913号在先日本专利申请并要求其优先权的权益；该申请的全部内容通过引用结合于此。

技术领域

本文描述的实施例总的来说涉及显示装置。

背景技术

有一种有源矩阵显示装置，其中诸如薄膜晶体管之类的开关元件控制通过有机EL（电致发光）器件的电流。期望改进这种显示装置中的图像质量。

附图说明

图1是示出根据第一实施例的显示装置的配置的示意性横截面图；

图2是示出根据第二实施例的显示装置的配置的示意性横截面图；以及

图3A至图3G是示出用于制造根据第二实施例的显示装置的方法的示意性横截面图。

具体实施方式

根据一个实施例，显示装置包括衬底、像素电极、开关元件、有机发光层、相对电极、光吸收层和导电膜。

衬底是透光的。像素电极设置在衬底上。

像素电极是透光的。开关元件设置在衬底上并且电连接至像素电极。

有机发光层设置在像素电极上。

相对电极设置在有机发光层上。

相对电极是透光的。光吸收层设置在相对电极上。光吸收层是导电的。

导电膜设置在光吸收层上。

在下文中将参考附图来描述各个实施例。

需要注意的是，附图是示意性或概念性的。各部分的厚度和宽度之间的关系以及各部分之间的大小比例等不一定与实际相同。另外，即使在表示相同部分的情况下，所述各部分之间的尺寸和比例有时也根据附图以不同的方式进行表示。

在说明书和附图中，与在上述附图中所描述或示出的组件类似的组件用相同的附图标记来标注，并且酌情省略详细描述。

第一实施例

图1是示出根据第一实施例的显示装置的配置的示意性横截面图。

如图1所示，根据本实施例的显示装置110包括衬底10、开关元件12、像素电极16、有机发光层18、阴极20（相对电极）、光吸收层50和导电膜52。

像素电极16、有机发光层18和阴极20形成了有机EL发光元件部分24。发光元件部分24由开关元件12控制和驱动。在显示装置110中，以矩阵配置来设置开关元件12和发光元件部分24的组合。控制开关元件12的驱动和发光元件部分24的光发射，以显示画面。显示装置110是一种使用有机EL器件的有源矩阵显示装置。

衬底10具有主表面10a。衬底10例如是透光性的。衬底10例如是透明的。衬底10例如具有双折射。例如，衬底10的双折射在平面上且在膜厚度方向上具有10nm或更多的延迟。衬底10包括主体部分4和阻挡层5。主体部分4例如是透光性的。主体部分4例如还有可挠性。例如，诸如聚酰亚胺树脂和芳族聚酰胺树脂之类的树脂材料可用于主体部分4。阻挡层5抑制例如杂质、湿气等的渗透。阻挡层5保护例如设置在衬底10上的开关元件12和发光元件部分24。例如，透光且有可挠性的材料被用于阻挡层5。例如，氧化硅膜、氮化硅膜等可用于阻挡层5。例如，氧化硅膜、氮化硅膜等的层叠体可用于阻挡层5。例如，诸如玻璃材料和树脂材料的无可挠性材料可用于主体部分4。

开关元件12设置在衬底10的主表面10a上。

开关元件12包括第一导电部分31、第二导电部分32、栅电极33、栅极绝缘膜34、半导体膜35和沟道保护膜36。

栅电极33设置在衬底10的主表面10a上。例如，诸如钼钨（MoW）、钼钽（MoTa）以及钨（W）之类的高熔点金属被用于栅电极33。例如，主要成分为Al的Al合金可用于栅电极33，在该Al合金中设置了防小丘出现的配置。例如，Al和高熔点金属的层叠体可用于栅电极33。

在栅电极33上设置栅极绝缘膜34。在该示例中，在整个主表面10a上设置栅极绝缘膜34以覆盖栅电极33。例如，绝缘且透光的材料被用于栅极绝缘膜34。例如，氧化硅膜、氮化硅膜、氧氮化硅膜等可用于栅极绝缘膜34。包括氧化硅膜、氮化硅膜和氧氮化硅膜中至少一个的层叠体可用于栅极绝缘膜34。