[发明专利]显示装置无效
| 申请号: | 201210359267.0 | 申请日: | 2012-09-24 |
| 公开(公告)号: | CN103378312A | 公开(公告)日: | 2013-10-30 |
| 发明(设计)人: | 齐藤信美;三浦健太郎;上田知正;中野慎太郎;坂野龙则;山口一 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
| 主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L27/32 |
| 代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 管琦琦 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 显示装置 | ||
1.一种显示装置,包括:
衬底,所述衬底是透光的;
设置在所述衬底上的像素电极,所述像素电极是透光的;
设置在所述衬底上并且电连接至所述像素电极的开关元件;
设置在所述像素电极上的有机发光层;
设置在所述有机发光层上的相对电极,所述相对电极是透光的;
设置在所述相对电极上的光吸收层,所述光吸收层是导电的;以及
设置在所述光吸收层上的导电膜。
2.如权利要求1所述的装置,其中所述光吸收层的光吸收性高于所述相对电极的光吸收性。
3.如权利要求1所述的装置,其中所述导电膜的阻抗低于所述光吸收层的阻抗。
4.如权利要求1所述的装置,其中所述光吸收层包含炭黑。
5.如权利要求1所述的装置,其中所述光吸收层的比电阻小于等于1×104μΩcm。
6.如权利要求5所述的装置,其中所述光吸收层的比电阻大于等于1×102μΩcm。
7.如权利要求1所述的装置,其中所述导电膜的比电阻小于等于10μΩcm。
8.如权利要求1所述的装置,其中所述衬底具有双折射。
9.如权利要求8所述的装置,其中所述衬底具有可挠性。
10.如权利要求9所述的装置,其中所述衬底包括聚酰亚胺树脂和芳族聚酰胺树脂中的至少之一。
11.如权利要求1所述的装置,还包括设置在所述相对电极和所述光吸收层之间的干燥剂层,所述干燥剂层是透光的。
12.如权利要求11所述的装置,其中所述干燥剂层包含锂、钠、镁、钾、钙、铷、铯、锶和钡中的至少一种元素。
13.如权利要求11所述的装置,还包括设置在所述像素电极和所述有机发光层之间的绝缘平面化膜,
所述平面化膜具有开口,所述像素电极的一部分从所述开口露出,
所述有机发光层的一部分进入所述开口;并且
所述干燥剂层设置在所述光吸收层和所述有机发光层的所述部分之间。
14.如权利要求1所述的装置,其中所述像素电极包括ITO、ITO/Ag/ITO层叠结构和包含Al的ZnO之一。
15.如权利要求1所述的装置,其中所述相对电极包括MgAg。
16.如权利要求15所述的装置,其中所述相对电极的厚度大于等于5nm且小于等于20nm。
17.根据权利要求1所述的装置,其中所述开关元件包括:
设置在所述衬底上的栅电极;
设置在所述栅电极上的栅极绝缘膜;
设置在所述栅极绝缘膜上的半导体膜,所述半导体膜包括第一区域,远离第一区域的第二区域以及设置在所述第一区域和第二区域之间的第三区域;
电连接至所述第一区域和所述像素电极的第一导电部分,以及
设置为远离所述第一导电部分且电连接至所述第二区域的第二导电部分。
18.如权利要求17所述的装置,其中所述半导体膜是包含In、Ga和Zn中的至少一种的非晶氧化物半导体。
19.如权利要求18所述的装置,其中所述半导体膜的厚度大于等于10nm且小于等于100nm。
20.如权利要求17所述的装置,其中
所述开关元件还包括至少设置在所述第三区域上的沟道保护膜。
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