[发明专利]一种半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，包括：

提供具有浅沟槽隔离结构的半导体衬底，所述浅沟槽隔离结构上形成有虚拟栅极结构，所述虚拟栅极结构两侧形成有紧靠所述虚拟栅极结构的侧壁结构，且所述侧壁结构一侧的衬底中形成有自对准金属硅化物；

在所述半导体衬底上依次形成氮化硅层和层间介电层，以覆盖所述虚拟栅极结构；

执行研磨过程以露出所述虚拟栅极结构的顶部；

去除所述虚拟栅极结构，在所述侧壁结构之间形成的栅沟槽中形成金属栅极结构；

回蚀刻所述层间介电层，并去除所述氮化硅层；

在所述半导体衬底上形成接触孔蚀刻停止层，以完全覆盖所述金属栅极结构以及所述侧壁结构；

再次形成另一层间介电层，以覆盖所述接触孔蚀刻停止层，并研磨所述另一层间介电层以使其表面平整；

形成接触孔。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述侧壁结构由氮化物和氧化物共同组成的夹层结构构成。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述氮化物为氮化硅。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，采用化学气相沉积工艺形成所述氮化硅层和所述层间介电层。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述层间介电层的材料为氧化硅。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述金属栅极结构由自下而上依次层叠的界面层、高k介电层、功函数金属层和填充金属层共同构成。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，采用干法蚀刻工艺或者湿法蚀刻工艺对层间介电层实施所述回蚀刻。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述干法蚀刻工艺中氧化硅对氮化硅的蚀刻选择比大于15。

9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述对层间介电层湿法蚀刻的蚀刻剂为稀释的氢氟酸。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，采用干法蚀刻工艺去除所述氮化硅层。

11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，实施所述干法蚀刻工艺时，所述氮化硅层被完全去除或在所述侧壁结构的外侧残留部分所述氮化硅层。

12.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述接触孔蚀刻停止层的材料为具有高应力的氮化硅。

13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，所述应力为拉应力或压应力。

14.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述接触孔的步骤包括：在所述再次形成的另一层间介电层上依次形成非晶碳层、介电质抗反射层和具有用于蚀刻所述接触孔的图形的光刻胶层；以所述光刻胶层为掩膜，执行干法蚀刻工艺蚀刻所述再次形成的另一层间介电层，所述蚀刻过程终止于所述接触孔蚀刻停止层；采用灰化工艺去除所述光刻胶层；执行另一干法蚀刻工艺，以去除所述暴露出来的接触孔蚀刻停止层；去除所述非晶碳层和所述介电质抗反射层。

15.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述虚拟栅极结构包括自下而上依次层叠的栅极介电层和栅极材料层。