[发明专利]半导体器件和半导体器件制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，其中：

接触区域被合金化以将电极连接到配线；并且

所述电极和所述配线共享合金化的所述接触区域，以在包括逻辑电路和配线的第二半导体晶片以及包括光电转换部分和配线的第一半导体晶片中将所述电极和所述配线彼此电连接。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述电极是贯通贴合到所述第二半导体晶片的所述第一半导体晶片的电极，并且所述接触区域被合金化以在所述第二半导体晶片中将所述电极和所述配线彼此电连接。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，在将所述第一半导体晶片贴合到所述第二半导体晶片并且在所述电极通过其贯通所述第一半导体晶片的贯通孔上形成阻挡金属膜的工艺期间，去除所述第二半导体晶片中由铝制作的所述配线的表面上的铝氧化膜，并且所述接触区域被合金化以将由铜制作的所述电极电连接到由铝制作的所述配线。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中所述接触区域通过执行热处理而被合金化，以将由铜制作的所述电极电连接到由铝制作的所述配线。

5.一种背面照射固态成像器件，包括：

半导体器件，其中

接触区域被合金化以将电极连接到配线；并且

所述电极和所述配线共享合金化的所述接触区域，以在包括逻辑电路和配线的第二半导体晶片以及包括光电转换部分和配线的第一半导体晶片中将所述电极和所述配线彼此电连接。

6.一种半导体器件制造方法，包括：

合金化接触区域的工艺，以在半导体器件中将电极连接到配线，其中，在所述工艺中，合金化所述电极和所述配线共享的所述接触区域，以在包括逻辑电路和配线的第二半导体晶片以及包括光电转换部分和配线的第一半导体晶片中将所述电极和所述配线彼此电连接。

7.根据权利要求6所述的半导体器件制造方法，其中，在所述工艺中，所述电极形成为用作在所述第一半导体晶片已经贴合到所述第二半导体晶片后贯通所述第一半导体晶片的电极，并且合金化所述接触区域，以在所述第二半导体晶片中将所述电极和所述配线彼此电连接。

8.根据权利要求7所述的半导体器件制造方法，其中：

所述工艺执行为包括如下的工艺：

第一工艺，将所述第一半导体晶片贴合到所述第二半导体晶片，以及

第二工艺，在所述电极通过其贯通所述第一半导体晶片的贯通孔上形成阻挡金属膜；

在所述第二工艺中，去除所述第二半导体晶片中由铝制作的所述配线的表面上的铝氧化膜；并且

在所述第二工艺中，合金化所述接触区域，以将由铜制作的所述电极电连接到由铝制作的所述配线。

9.根据权利要求8所述的半导体器件制造方法，其中，在所述第二工艺中，所述接触区域通过执行热处理而被合金化，以将由铜制作的所述电极电连接到由铝制作的所述配线。

10.一种用于制造背面照射型固态成像器件的方法，所述方法包括：

半导体器件制造方法，包括：

合金化接触区域的工艺，以在半导体器件中将电极连接到配线，其中，在所述工艺中，合金化所述电极和所述配线共享的所述接触区域，以在包括逻辑电路和配线的第二半导体晶片以及包括光电转换部分和配线的第一半导体晶片中将所述电极和所述配线彼此电连接。