[发明专利]镀膜方法及其镀膜装置

权利要求书

1.一种镀膜方法，其特征在于，在镀膜腔室中设置有固定基板的基板支架，所述镀膜材料在基板上沉积，在基板上形薄膜的镀膜工序；具有浓度梯度的离子全面照射所述基板支架的整个区域，所述薄膜被离子照射使薄膜致密化的照射工序。

2.根据权利要求１所述的镀膜方法，其特征在于，所述的照射工序中，对所述基板支架部分区域照射高浓度离子，对所述基板支架的其余区域照射低浓度离子。

3.根据权利要求１或２所述的镀膜方法，其特征在于，所述的基板在转动中交替地通过高浓度离子区域和低浓度离子区域。

4.根据权利要求3所述的镀膜方法，其特征在于，所述的基板边转动边以一定的周期、交替地通过高密度离子区域和低浓度离子区域。

5.根据权利要求4所述的镀膜方法，其特征在于，所述的基板支架旋转使基板进行转动。

6.根据权利要求4或5所述的镀膜方法，其特征在于，所述的镀膜速度按照一定的周期变化形成所述薄膜。

7.根据权利要求6所述的镀膜方法，其特征在于，在所述镀膜速度最大的位置上，所述的离子照射量最大。

8.根据权利要求6所述的镀膜方法，其特征在于，在所述镀膜速度最大的位置上，离子照射量最小。

9.根据权利要求1至5任一项所述的镀膜方法，其特征在于，所述的基板支架上固定多片基板。

10.实施权利要求1至5任一项所述的镀膜方法的镀膜装置，其特征在于，该装置包括一个镀膜腔室（10），该镀膜腔室（10）经排气管（11）与真空泵（12）相连，在该镀膜腔室的上方中轴位置通过旋转轴支撑的绕该旋转轴转动的用于固定镀膜基板的伞状的基板支架（20），在所述的基板支架（20）下方的镀膜腔室分立地设有第一蒸发源（30）、第一遮挡板（31）、离子源（32）、离子源遮挡板（33），所述的第一蒸发源（30）蒸发的镀膜材料通过第一遮挡板（31）定向地射向所述的基板支架（20）的镀膜基板，所述的离子源（32）发出的离子通过所述的离子源遮挡板（33）定向地射向所述的基板支架（20）的镀膜基板，镀膜基板是固定在所述的基板支架（20）上且镀膜面朝向所述的蒸发源和离子源。