[发明专利]移位寄存器和平板显示装置

权利要求书

1.一种移位寄存器，其特征在于，包括：第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、晶体管单元和电容；

所述第一晶体管的控制端接收第一时钟信号，第一端接收上一级移位寄存器的输出信号或起始信号，第二端连接所述电容的第一端和第二晶体管的控制端；

所述第二晶体管的第一端接收第二时钟信号，第二端连接所述电容的第二端、第三晶体管的第一端、第四晶体管的第一端和第五晶体管的控制端，所述第二晶体管的第二端输出本级移位寄存器的输出信号；

所述第三晶体管的控制端接收所述第一时钟信号，第二端连接所述第四晶体管的第二端和所述第五晶体管的第二端，所述第三晶体管的第二端接收低电平信号；

所述第四晶体管的控制端连接所述第五晶体管的第一端和所述晶体管单元的负极端；

所述晶体管单元的正极端接收所述第二时钟信号;

所述晶体管单元的导通电阻大于所述第五晶体管的导通电阻。

2.如权利要求1所述的移位寄存器，其特征在于，所述第一时钟信号为所述第二时钟信号的互补信号，所述低电平信号小于或等于所述第一时钟信号的低电平的电压值。

3.如权利要求1所述的移位寄存器，其特征在于，还包括：第七晶体管，所述第七晶体管的控制端接收下一级移位寄存器的输出信号，第一端连接所述电容的第一端，第二端接收所述低电平信号。

4.如权利要求1所述的移位寄存器，其特征在于，还包括：第八晶体管，所述第八晶体管的控制端接收所述第一时钟信号，第一端连接所述第四晶体管的控制端，第二端接收所述低电平信号。

5.如权利要求1所述的移位寄存器，其特征在于，所述晶体管单元包括第六晶体管，所述第六晶体管的控制端连接所述第六晶体管的第一端作为所述晶体管单元的正极端，所述第六晶体管的第二端作为所述晶体管单元的负极端，所述第六晶体管的导通电阻大于所述第五晶体管的导通电阻。

6.如权利要求5所述的移位寄存器，其特征在于，所述晶体管单元包括二极管，所述二极管正极作为所述晶体管单元的正极端，所述二极管负极作为所述晶体管单元的负极端，所述二极管的导通电阻大于所述第五晶体管的导通电阻。

7.如权利要求1-6任一权利要求所述的移位寄存器，其特征在于，所述晶体管为MOS晶体管，所述晶体管的控制端为所述MOS晶体管的栅极；

所述晶体管的第一端为所述MOS晶体管的源极、第二端为所述MOS晶体管的漏极，或者所述晶体管的第一端为所述MOS晶体管的漏极、第二端为所述MOS晶体管的源极。

8.如权利要求7所述的移位寄存器，其特征在于，所述第五晶体管的宽长比大于所述第六晶体管的宽长比。

9.如权利要求8所述的移位寄存器，其特征在于，所述第五晶体管的宽长比大于所述第六晶体管的宽长比的五倍。

10.一种平板显示装置，其特征在于，包括：像素单元和权利要求1-9任一项所述的移位寄存器，权利要求1-9任一项所述的移位寄存器适于产生所述像素单元所需的栅极信号。