[发明专利]一种金属-氧化物-金属电容的制造方法在审

申请号：	201210350803.0	申请日：	2012-09-19
公开（公告）号：	CN102903612A	公开（公告）日：	2013-01-30
发明（设计）人：	全冯溪;周伟;蒋宾	申请（专利权）人：	上海集成电路研发中心有限公司
主分类号：	H01L21/02	分类号：	H01L21/02
代理公司：	上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275	代理人：	吴世华;林彦之
地址：	201210 上海***	国省代码：	上海;31
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摘要：
搜索关键词：	一种金属氧化物电容制造方法
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【权利要求书】：

1.一种金属-氧化物-金属电容（MOM）的制造方法，其中，

所述MOM电容（102）采用指状结构，与后道金属连线区域（101）制作在同一金属层中；所述MOM电容（102）的指状结构，由第一电极（13）和第二电极（14）组成，并且，第一电极（13）由多根相互平行的第一指状极板（11）单端相连而形成，第二电极（14）由多根相互平行的第二指状极板（12）单端相连而形成；

所述第一电极（13）和第二电极（14）之间具有第一绝缘介质层（3），所述MOM电容（102）的其他区域以及所述金属连线区域（101）内部具有第二绝缘介质层（5）；

其特征在于，所述的方法包括如下步骤：

步骤S01：在晶圆基底上，沉积所述第一绝缘介质层（3）；所述晶圆基底包含衬底（1）和制作在所述衬底（1）之上的包含晶体管在内的器件层（2），及N层的金属层，其中，N为大于等于零的整数；然后，在所述第一绝缘介质层（3）上沉积一层第一硬掩膜介质层（4），所述第一绝缘介质层（3）以High-K介质作为材料；

步骤S02：在所述硬掩膜介质层上涂布光刻胶，通过光刻和刻蚀定义第一绝缘介质层（3）介质图形；

步骤S03：在晶圆表面沉积所述第二绝缘介质层（5）；其中，所述第二绝缘介质层（5）以常规介质或low-k介质作为材料；

步骤S04：研磨所述第二绝缘介质层（5）和第一硬掩膜介质层（4），使晶圆表面平坦化；

步骤S05：在晶圆表面涂布第二硬掩膜介质层（7）以及光刻胶，通过光刻和刻蚀形成位于所述第一绝缘介质层（3）和第二绝缘介质层（5）中的凹槽区域；

步骤S06：在所述凹槽区域中填充金属，形成金属连线和所述MOM电容（102）的第一指状极板（11）和第二指状极板（12）。

2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第一绝缘介质层（3）是通过等离子体增强型化学气相沉积或原子层沉积方法形成的。

3.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第二绝缘介质层（5）是通过化学气相沉积或者旋涂技术形成的。

4.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第一绝缘介质层（3）的k值大于等于7，所述第二绝缘介质层low-k介质的k值小于3。

5.根据权利要求4所述的制造方法，其特征在于，所述high-k介质的材料是Al₂O₃、Si₃N₄、ZrO₂或TiO₂。

6.根据权利要求5所述的制造方法，其特征在于，在所述步骤S04中，研磨所述第二绝缘介质层（5）和第一硬掩膜介质层（4）是通过化学机械抛光工艺实现的。

7.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第一硬掩膜介质层（4）的材料为氮化硅。

8.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第二硬掩膜介质层（7）的材料为氮化硅。