[发明专利]刻蚀方法

权利要求书

1.一种刻蚀方法，其特征在于，包括：

提供批次衬底，各衬底表面由下至上依次形成有掩膜层和光刻胶层，所述光刻胶层上具有光刻图形；

对N-1个衬底及其表面的掩膜层进行刻蚀，形成刻蚀图形；

测量所述N-1个衬底中任意M个衬底中刻蚀图形的线宽，获取所述M个衬底中刻蚀图形线宽的平均值，并将其与目标尺寸进行比较，根据差值确定刻蚀第N个衬底所需的第一刻蚀参数；

测量第N个衬底表面光刻胶层上光刻图形的底部线宽，并将其与目标尺寸进行比较，根据差值确定刻蚀第N个衬底所需的第二刻蚀参数；

将刻蚀第N个衬底所需的第一刻蚀参数和第二刻蚀参数进行权重相加，确定对第N-1个衬底的刻蚀条件的调整量，获取刻蚀第N个衬底以形成刻蚀图形所需的刻蚀条件；

以第N个衬底表面的光刻胶层为掩模、采用刻蚀第N个衬底所需的刻蚀条件对第N个衬底及其表面的掩膜层进行刻蚀，形成刻蚀图形；

其中，N为大于或者等于2的正整数，M为大于或者等于1的正整数，且M小于或者等于N。

2.如权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，所述批次衬底包括控片，在对批次衬底进行刻蚀时，先对控片进行刻蚀，然后再对批次衬底中除控片外的其他衬底进行刻蚀；对控片进行刻蚀，形成刻蚀图形的步骤包括：

测量控片表面光刻胶层上光刻图形的底部线宽，并将其与目标尺寸进行比较，根据差值调整预定刻蚀条件，获取刻蚀控片所需的刻蚀条件；

以控片表面的光刻胶层为掩模、采用刻蚀控片所需的刻蚀条件对控片及其表面的掩膜层进行刻蚀，形成刻蚀图形。

3.如权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，所述衬底包括器件密集区和器件疏松区，位于器件密集区的刻蚀图形为第一类刻蚀图形，位于器件疏松区的刻蚀图形为第二类刻蚀图形。

4.如权利要求3所述的刻蚀方法，其特征在于，所述第一刻蚀参数包括第一子刻蚀参数、第二子刻蚀参数和第三子刻蚀参数，确定刻蚀第N个衬底所需的第一刻蚀参数的步骤包括：

测量所述M个衬底中第一类刻蚀图形的顶部线宽，获取所述M个衬底中第一类刻蚀图形的顶部线宽的平均值，并将其与目标尺寸进行比较，根据差值确定刻蚀第N个衬底所需的第一子刻蚀参数；

测量所述M个衬底中第二类刻蚀图形的顶部线宽和底部线宽，获取所述M个衬底中第二类刻蚀图形的顶部线宽的平均值和底部线宽的平均值，并分别与目标尺寸比较，根据差值分别确定刻蚀第N个衬底所需的第二子刻蚀参数和第三子刻蚀参数。

5.如权利要求4所述的刻蚀方法，其特征在于，所述第一子刻蚀参数、第二子刻蚀参数和第二刻蚀参数均包括刻蚀时间、刻蚀气体流量、刻蚀气体中各气体的流量比、腔室的压强、刻蚀电源功率或者刻蚀电源中各频率电源的功率比。

6.如权利要求4所述的刻蚀方法，其特征在于，所述第三子刻蚀参数包括刻蚀电源功率或者刻蚀电源中各频率电源的功率比。

7.如权利要求4所述的刻蚀方法，其特征在于，测量所述M个衬底中第一类刻蚀图形的顶部线宽的方法为光学关键尺寸测量。

8.如权利要求4所述的刻蚀方法，其特征在于，测量前M个衬底中第二类刻蚀图形的顶部线宽和底部线宽的方法为关键尺寸扫描电子显微镜测量。

9.如权利要求4所述的刻蚀方法，其特征在于，对第N个衬底及其表面的掩膜层进行刻蚀，形成刻蚀图形的步骤包括：

以第N个衬底表面的光刻胶层为掩模，沿光刻图形对第N个衬底表面的掩膜层进行第一刻蚀，至暴露出第N个衬底；

以第N个衬底表面的光刻胶层为掩模，沿光刻图形对第N个衬底进行第二刻蚀，形成刻蚀图形。

10.如权利要求9所述的刻蚀方法，其特征在于，获取刻蚀第N个衬底以形成刻蚀图形所需的刻蚀条件的步骤包括：

将刻蚀第N个衬底所需的第一子刻蚀参数、第二子刻蚀参数和第二刻蚀参数进行权重相加，确定对第N-1个衬底进行第一刻蚀的第一刻蚀条件的调整量，获取刻蚀第N个衬底表面的掩膜层所需的第一刻蚀条件；

根据第N个衬底的第三子刻蚀参数，确定对第N-1个衬底进行第二刻蚀的第二刻蚀条件的调整量，获取刻蚀第N个衬底所需的第二刻蚀条件。