[发明专利]压电声波滤波器和芯片封装结构

说明书

技术领域

本发明涉及半导体集成电路技术领域，特别地涉及压电声波滤波器和芯片封装结构。

背景技术

压电声波滤波器（以下简称为“滤波器”）是一种使用广泛的半导体器件。为了使滤波器在特定的频段例如ISM频段、GSM频段等频段内对输入信号有较强的抑制作用，通常会使滤波器在这些频段内具有传输零点。通过选择滤波器中的电感器的电感值，可以调节这些传输零点对应的频率点，该动作又可称作调节滤波器传输零点。

图1是根据现有技术中的一种压电声波滤波器的电路原理的示意图。图1所示的是一种常见的梯形网络结构，该网络结构由数个串联的压电声波谐振器（X11、X12、X13）和数个并联的压电声波谐振器（Y11、Y12、Y13）构成。在实际的梯形网络结构中也可能包含更多的压电声波谐振器。使用集成电路制造技术可以将图1所示的电路制造在一个芯片内，即得到一个滤波芯片。图1所示的电路原理中还包括若干个电感元件。该电感元件可以是表示滤波芯片内部的电感器。

当在远离滤波器通带的低频处放置传输零点，从而实现信号抑制时，往往需要电感器（例如图1中的L11、L12、L13）具有较大的电感值。发明人在实现本发明的过程中发现，这种较大的电感值会带来诸多不利因素，如使滤波器的高频性能变差、电感器占用较大空间等。

发明内容

有鉴于此，本发明提供了压电声波滤波器和芯片封装结构，以克服上述的不利因素。

本发明提供的压电声波滤波器包括多个压电声波谐振器，以及多个与所述压电声波谐振器连接的电感器，在所述电感器中，至少有两个电感器之间的互感电感值位于区间[0.01nH，1nH]内。

可选地，所述电感器的电感值位于区间(0nH，10nH]内。

本发明提供的一种芯片封装结构中包含压电声波滤波芯片以及封装基板，所述压电声波滤波器包括多个压电声波谐振器，以及多个与所述压电声波谐振器连接的电感器，所述压电声波滤波器与所述封装基板之间具有多条金属键合线，对于所述电感器与所述金属键合线构成的多个串联体，至少有两个串联体之间的互感电感值位于区间[0.01nH，1nH]内。

可选地，所述电感器的电感值位于区间(0nH，10nH]内。

本发明提供的另一种芯片封装结构中包含压电声波滤波芯片以及封装基板，所述压电声波滤波器包括多个压电声波谐振器，所述压电声波滤波器与所述封装基板之间具有多条金属键合线，所述金属键合线分别与所述封装基板上的电感器串联，对于所述电感器与所述金属键合线构成的多个串联体，至少有两个串联体之间的互感电感值位于区间[0.01nH，1nH]内。

可选地，所述电感器的电感值位于区间(0nH，10nH]内。

本发明提供的又一种芯片封装结构中包含压电声波滤波芯片以及封装基板，所述压电声波滤波器包括多个压电声波谐振器，以及多个与所述压电声波谐振器连接的电感器，所述压电声波滤波器焊接在所述封装基板上，焊接处同时与所述电感器以及所述封装基板的基板走线连接，对于所述电感器与所述基板走线构成的多个串联体，至少有两个串联体之间的互感电感值位于区间[0.01nH，1nH]内。

可选地，所述电感器的电感值位于区间(0nH，10nH]内。

本发明提供的又一种芯片封装结构中包含压电声波滤波芯片以及封装基板，所述压电声波滤波器包括多个压电声波谐振器，所述压电声波滤波器焊接在所述封装基板上，各个焊接处与所述基板的基板走线连接，各条基板走线分别与所述封装基板上的电感器串联，对于所述电感器与所述基板走线构成的多个串联体，至少有两个串联体之间的互感电感值位于区间[0.01nH，1nH]内。

可选地，所述电感器的电感值位于区间(0nH，10nH]内。

本发明提供的又一种芯片封装结构中包含压电声波滤波芯片以及封装基板，所述压电声波滤波器包括多个压电声波谐振器，以及多个与所述压电声波谐振器连接的电感器，所述压电声波滤波芯片与所述封装基板之间具有多条金属键合线，所述金属键合线分别与所述封装基板上的电感器串联，对于与所述压电声波谐振器连接的电感器、所述金属键合线、和所述封装基板上的电感器依次连接构成的多个串联体，至少有两个串联体之间的互感电感值位于区间[0.01nH，1nH]内。

进一步地，与所述压电声波谐振器连接的电感器的电感值位于区间(0nH，10nH]内；并且/或者，所述封装基板上的电感器的电感值位于区间(0nH，10nH]内。