[发明专利]垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管器件制造方法

权利要求书

1.垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管器件制造方法，包括步骤：

a、在衬底正面形成器件的功能区并制作正面电极；

b、在所述衬底背面形成注入区并制作背面电极；

c、利用功能区和注入区之间的衬底材料作为器件的漂移区。

2.根据权利要求1所述的垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管器件制造方法，其特征在于，所述衬底材料采用FZ硅。

3.根据权利要求1所述的垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管器件制造方法，其特征在于，所述衬底为N型或P型材料，所述步骤b中，在N型衬底背面形成N+型注入区或在P型衬底背面形成P+型注入区。

4.根据权利要求1所述的垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管器件制造方法，其特征在于，在形成注入区之前对衬底背面进行减薄处理，调整衬底厚度。

5.根据权利要求1所述的垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管器件制造方法，其特征在于，根据器件耐压要求调整衬底厚度。

6.根据权利要求1所述的垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管器件制造方法，其特征在于，在器件功能区和漂移区之间形成非连续的隐埋层，所述隐埋层材料导电类型与衬底材料导电类型相反。

7.根据权利要求6所述的垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管器件制造方法，其特征在于，在所述功能区周边形成隔离结，所述隔离结导电类型与所述隐埋层导电类型相同，所述隔离结与所述隐埋层相连。

8.根据权利要求1～7任意一项所述的垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管器件制造方法，其特征在于，所述垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管器件制造方法用于BCD集成电路或COMS集成电路生产工艺中，在所述BCD集成电路或COMS集成电路中形成高压器件。

9.根据权利要求8所述的垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管器件制造方法，其特征在于，在所述BCD集成电路或COMS集成电路中形成超结结构。

10.根据权利要求8所述的垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管器件制造方法，其特征在于，在所述BCD集成电路或COMS集成电路中形成槽栅结构的VDMOSFET。