[发明专利]一种可提高工艺套准精度的曝光方法无效
| 申请号： | 201210343659.8 | 申请日： | 2012-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN102880012A | 公开（公告）日： | 2013-01-16 |
| 发明（设计）人： | 朱骏;张旭昇 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 竺路玲 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 提高 工艺 精度 曝光 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种可提高工艺套准精度的曝光方法，其特征在于，包括以下顺序步骤：
首先使用第一曝光图形对硅片光刻曝光，再用第二曝光图形对硅片光刻曝光，使得硅片表面形成相间隔分布的图案单元，所述第一曝光图案和第二曝光图案制在同一掩模板上。
2.一种可提高工艺套准精度的曝光方法，其特征在于，包括以下顺序步骤：交替使用两种或两种以上曝光图形对硅片进行光刻曝光，使得硅片表面形成上下左右相间隔的图案单元，所述两种或两种曝光图案制在同一掩模板上。
3.根据权利要求1或2所述的曝光方法，其特征在于，所述掩模板图形的X方向尺寸小于12.25 mm和/或Y方向尺寸小于15.75 mm。
4.一种掩模板，其特征在于，所述掩模板上排布两个或两个以上掩模板图形。
5.根据权利要求4所述掩模板，其特征在于，所述掩模板上掩模板图形横向并列排列或纵向并列排列。
6.根据权利要求4或5所述的曝光方法，其特征在于，所述掩模板图形的X方向尺寸小于12.25 mm和/或Y方向尺寸小于15.75 mm。
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