[发明专利]一种应变硅浅沟槽隔离结构的形成方法在审
| 申请号： | 201210342100.3 | 申请日： | 2012-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN102881628A | 公开（公告）日： | 2013-01-16 |
| 发明（设计）人： | 曾绍海;左青云;李铭 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;林彦之 |
| 地址： | 201210 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 应变 沟槽 隔离 结构 形成 方法 | ||
1.一种应变硅浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，包括：
步骤S01：提供一半导体衬底，且在所述半导体衬底上依次形成有衬垫氧化层和氮化硅层；
步骤S02：采用刻蚀工艺在所述衬垫氧化层、氮化硅层和半导体衬底所形成层叠结构中形成浅沟槽；其中，所述浅沟槽的底部位于所述衬底中；
步骤S03：在所述浅沟槽侧壁、底部以及氮化硅层表面形成保护层；
步骤S04：在表面形成有保护层的所述浅沟槽内沉积应变掺碳氧化硅层以形成隔离介质层；
步骤S05：去除所述浅沟槽外的隔离掺碳氧化硅，以及所述氮化硅层上表面形成的保护层，从而形成应变硅浅沟槽隔离结构。
2.如权利要求1所述的应变硅浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，所述步骤S02具体包括：
步骤S021：在所述衬垫氧化层和氮化硅层内形成暴露出所述衬底的开口；
步骤S022：沿所述开口刻蚀至所述衬底中形成浅沟槽。
3.如权利要求1所述的应变硅浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，沉积所述应变掺碳氧化硅层采用离子增强化学气相沉积工艺生成。
4.如权利要求3所述的应变硅浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，沉积所述应变掺碳氧化硅的工艺温度为300℃~400℃，反应气体为硅烷、甲烷和氧气的混合体。
5.如权利要求4所述的应变硅浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，所述沉积掺碳氧化硅的工艺温度为350℃。
6.如权利要求1所述的应变硅浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，所述掺碳氧化硅的含碳量大于等于1%。
7.如权利要求1所述的应变硅浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，在所述步骤S05中，采用化学机械研磨工艺去除所述浅沟槽外的掺碳氧化硅以及所述氮化硅层表面形成的保护层。
8.如权利要求1所述的应变硅浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，所述应变硅浅沟槽中的所述应变掺碳氧化硅层的上表面与所述氮化硅层表面平齐。
9.如权利要求1所述的应变硅浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，在步骤S02中，所述的刻蚀工艺为等离子刻蚀工艺。
10.如权利要求1所述的应变硅浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，沉积所述衬垫氧化层、氮化硅层和所述保护层的工艺为化学气相沉积工艺。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海集成电路研发中心有限公司，未经上海集成电路研发中心有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210342100.3/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：重新布线图形的形成方法
- 下一篇：一种正品大黄种子的快速检测方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
