[发明专利]用于临界尺寸缩减和节距缩减的系统及方法

权利要求书

1.一种在基片上形成器件的系统，包括：

用于容纳基片的处理室，该处理室与气体歧管和控制器相连接；

多个处理气体源，其流体连接于该气体歧管，该气体歧管连接于该控制器；以及

控制器，其包括配方，该配方包括：

用于在基片上形成掩膜的逻辑，该掩膜由第一材料形成，其中该用于形成掩膜的逻辑包括用于在第一层上形成掩膜层的逻辑以及在该掩膜层中形成至少一个开口的逻辑，该掩膜层中的该至少一个开口在该开口的至少一侧或该开口的底部具有不正确形貌；

用于修正该掩膜层中该开口的至少一侧或该至少一个开口的底部的不正确形貌的逻辑，其包括至少下述之一：

用于去除该掩膜层中的该至少一个开口的该至少一侧的底部以便该至少一侧与该掩膜层的顶表面大体垂直的逻辑；或

用于在该掩膜层中的该开口的至少一侧增加第二部分材料以便该开口的该至少一侧与该掩膜层的顶表面大体垂直的逻辑。

2.根据权利要求1所述的系统，其中该配方进一步包括用于从该第一层去除所述掩模层的逻辑。

3.根据权利要求1所述的系统，其中用于在该掩膜层中形成至少一个开口的逻辑包括用光刻处理在该掩膜层中形成该至少一个开口的逻辑，其中该光刻处理为第一临界尺寸优化，并且其中该掩膜层中的该至少一个开口具有远远小于所述第一临界尺寸的第二临界尺寸。

4.根据权利要求1所述的系统，其中用于在该掩膜层中形成至少一个开口的逻辑包括用光刻处理在该掩膜层中形成该至少一个开口的逻辑，其中该光刻处理为第一开口密度优化，并且其中该掩膜层具有远远小于所述第一开口密度的第二开口密度。

5.根据权利要求1所述的系统，其中用于去除在该掩膜层的该开口的该至少一侧的底部的逻辑包括施加低压蚀刻处理的逻辑或施加选择性沉积处理的逻辑中的至少一种。

6.根据权利要求5所述的系统，其中，所述低压蚀刻处理包括小于大约70毫托的蚀刻处理压力。

7.根据权利要求5所述的系统，其中，所述选择性沉积处理包括大于大约50毫托的沉积处理系统压力。

8.根据权利要求1所述的系统，其中用于在该掩膜层中的该开口的该至少一侧增加第二部分材料的逻辑包括施加低压蚀刻处理的逻辑或施加选择性沉积处理的逻辑中的至少一种。。

9.根据权利要求1所述的系统，其中该配方进一步包括用于缩小该掩膜层中的该至少一个开口的经修正的形貌的逻辑。

10.根据权利要求9所述的系统，其中用于缩小该掩膜层中的该至少一个开口的经修正的形貌的逻辑包括增加第三部分材料到该掩模层的该开口的该至少一侧。

11.根据权利要求9所述的系统，其中在该第一层中形成的特征大体上等于或小于该掩膜层中经缩小的开口。

12.根据权利要求1所述的系统，其中修正该掩膜层中的该至少一个开口的形貌包括去除该掩膜层中的该至少一个开口的至少一侧的底部以便该开口的底部与该掩膜层的顶表面大体平行且该开口的底部具有期望的宽度。

13.用于在基片上形成特征的系统，包括：

用于容纳基片的处理室，该处理室与气体歧管和控制器相连接；

多个处理气体源，其流体连接于该气体歧管，该气体歧管连接于该控制器；以及

控制器，其包括配方，该配方包括：

用于在基片上形成掩膜的逻辑，该掩膜由第一材料形成，其中该用于形成掩膜的逻辑包括用于在第一层上形成掩膜层的逻辑以及在该掩膜层中形成至少一个开口的逻辑，该掩膜层中的该至少一个开口在该开口的至少一侧或该开口的底部具有不正确形貌，其中在该掩膜层中的该至少一个开口用光刻处理形成，该光刻处理为第一临界尺寸优化，并且其中该掩膜层的该至少一个开口具有远远小于所述第一临界尺寸的第二临界尺寸；

用于修正该掩膜层中的该开口的至少一侧或该至少一个开口的底部的不正确形貌的逻辑，其包括：

用于去除该掩膜层中的该至少一个开口的该至少一侧的底部以便该至少一侧与该掩膜层的顶表面大体垂直的逻辑；和

用于在该掩膜层中的该开口的至少一侧增加第二部分材料以便该开口的该至少一侧与该掩膜层的顶表面大体垂直的逻辑；以及

用于在该第一层中形成特征的逻辑。

14.根据权利要求13所述的系统，其中该掩膜层中该至少一个开口的至少一侧的底部从该掩膜层中该开口的至少一侧去除是与在该掩膜层中的该开口的至少一侧增加第二部分材料大体同时进行的。