[发明专利]基板制造方法以及布线基板的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及使用了玻璃基材的基板制造方法以及布线基板的制造方法。

背景技术

近些年，例如对安装了MEMS（Micro Electro Mechanical System：微型机电系统）等电子部件的布线基板谋求可确保高连接可靠性并且可高密度安装电子部件等。为了与此对应，本申请发明者们提出了下述基板制造方法，即对于布线基板，不使用树脂基板，而使用平滑性、硬质性、绝缘性、耐热性等优良的玻璃基板作为芯基板，通过向形成于该玻璃基板的贯通孔填充金属，可以将其用作双面布线基板（例如，参照专利文献1）。

在专利文献1中，提出了下述基板制造方法，即具有在玻璃基板中形成贯通孔的工序；以及通过镀敷法（电解镀敷）向贯通孔填充金属的工序。其中，在向贯通孔填充金属的工序中，在其初始阶段中，用金属封闭玻璃基板的表面背面的贯通孔的开口部的任意一方，之后，从该封闭的一开口部朝向另一开口部堆积金属，从而在贯通孔内填充金属。具体而言，在基板制造方法的一系列的工序当中，采用图13（A）～（D）所示的工序。

在图13（A）所示的工序中，在设置了贯通孔51的玻璃基板52的下表面侧，通过溅射按顺序层叠铬层53a、铬铜层53b以及铜层53c，从而形成3层构造的镀敷基底层53。接下来，在图13（B）所示的工序中，在玻璃基板52的下面侧通过电解镀敷形成镀敷层54，从而利用镀敷层54封闭贯通孔51的一方（下方）的开口部。之后，在图13（C）、（D）所示的工序中，利用从玻璃基板52的上表面侧开始的电解镀敷使镀敷层54生长，从而利用镀敷层54填埋贯通孔51。

【专利文献1】国际公开第2005/027605号

但是，在上述以往的基板制造方法中，存在以下那样的问题。用金属（镀敷层54）封闭贯通孔51的一开口部后，利用镀敷层54的生长来填埋贯通孔51的情况下，需要遍布从贯通孔51的一开口部到另一开口部的几乎整个区域，即贯通孔51的整个深度尺寸（玻璃基板52的厚度尺寸T）来镀敷生长金属。

镀敷生长在金属离子浓度越高的区域越快。这是因为金属的析出所涉及的电流密度可较高得到的缘故。另一方面，当加快电结晶时，在镀敷液中，金属离子的消耗量产生局部性差异，在金属离子的浓度中产生分布。根据贯通孔51的形状、形成有贯通孔51的基板上的环境，产生金属离子浓度变低的区域，在该区域中电流密度降低，镀敷生长变慢。

例如，伴随布线的微细化，贯通孔51的孔径小的情况下，产生了下述问题，即若镀敷浴中的金属离子难以进入贯通孔51，则在贯通孔51的内部，镀敷生长的速度降低，到对贯通孔51完成金属填充为止要相当花费时间。

另外，在贯通孔51的一开口部因镀敷被封闭的情况下，在孔的内部，在封闭的开口部附近与另一开口部附近，金属离子浓度产生差异。该情况下，在贯通孔51的内部被金属填埋前，在另一开口部的周缘部附近析出的金属彼此会生长而相连，结果，会在贯通孔51的内部产生洞（孔隙）。

另外，在形成有多个贯通孔51的基板的情况下，在贯通孔51的分布密度稀疏的区域与稠密的区域，金属离子浓度容易产生偏差。这是因为与稀疏的区域相比，稠密的区域的金属离子的消耗量多。金属离子浓度的偏差为镀敷生长速度的偏差，结果，在基板上的每个区域，金属填充程度产生偏差。

发明内容

本发明鉴于电解镀敷的情况下的金属离子浓度分布所涉及的上述课题而提出，目的在于提供不会导致工序繁杂化等生产性低下、能够避免产生向贯通孔的孔内的金属填充程度的偏差、或者避免产生在贯通孔之间的金属填充程度的偏差的基板制造方法以及布线基板的制造方法。

本说明书所公开的基板制造方法包括：第1工序，准备玻璃基板，该玻璃基板在具有处于表面和背面的关系的第1面以及第2面的板状的玻璃基材中，形成有1个以上贯通孔，该贯通孔以所述第1面侧为第1开口部，并且以所述第2面侧为第2开口部；第2工序，在所述玻璃基板的第1面侧形成金属的镀敷基底层；第3工序，在所述玻璃基板的第1面侧，通过电解镀敷形成第1金属材料层，从而利用所述第1金属材料封闭所述贯通孔的第1开口部；以及第4工序，通过从所述玻璃基板的第2面侧开始的电解镀敷，在所述贯通孔内堆积第2金属材料，从而用金属填充所述贯通孔。