[发明专利]硅通孔壁上制作苯并环丁烯树脂电介质层的方法有效
申请号: | 201210337342.3 | 申请日: | 2012-09-12 |
公开(公告)号: | CN102915956A | 公开(公告)日: | 2013-02-06 |
发明(设计)人: | 奚嘉;杨军;肖斐 | 申请(专利权)人: | 复旦大学 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768 |
代理公司: | 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260 | 代理人: | 卢刚 |
地址: | 200433 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 硅通孔 壁上 制作 丁烯 树脂 电介质 方法 | ||
1.一种硅通孔壁上制作苯并环丁烯树脂电介质层的方法,其特征在于,包含以下步骤:
将苯并环丁烯BCB前体加入溶剂中,充分搅拌直至全部溶解,得到BCB前体溶液,其中,所述BCB前体的浓度为1-30%;
将所述BCB前体溶液填充到所述硅通孔TSV内,得到孔内填充有BCB前体溶液或孔壁上均匀附着BCB前体溶液的TSV硅片;
将所述孔内填充有BCB前体溶液或孔壁上均匀附着BCB前体溶液的TSV硅片在常压或减压条件下除去溶剂,在所述硅通孔内侧壁上留下一层均匀的BCB前体;
将所述硅通孔内侧壁上的BCB前体固化形成所述BCB树脂电介质层。
2.根据权利要求1所述的硅通孔壁上制作苯并环丁烯树脂电介质层的方法,其特征在于,在所述将所述BCB前体溶液填充到所述硅通孔TSV内的步骤中,包含以下子步骤:
将有硅通孔的圆片或硅片浸没到所述BCB前体溶液中;
利用超声作用,或者在减压条件下,使通孔中充满BCB溶液,得到孔内填充有BCB前体溶液的TSV硅片,其中,所述超声时间为5-10分钟。
3.根据权利要求1所述的硅通孔壁上制作苯并环丁烯树脂电介质层的方法,其特征在于,在所述将所述BCB前体溶液填充到所述硅通孔TSV内的步骤中,包含以下子步骤:
将有硅通孔的圆片或硅片置于匀胶机上;
所述匀胶机低速旋转,其中,旋转速度为100至500转/分钟;
将所述BCB前体溶液滴加到所述圆片或硅片表面,在所述圆片或硅片的另一面减压,使所述BCB前体溶液均匀流过通孔,在硅通孔壁上形成一层均匀的BCB前体溶液,得到孔壁上均匀附着BCB前体溶液的TSV硅片。
4.根据权利要求1至3任一项所述的硅通孔壁上制作苯并环丁烯树脂电介质层的方法,其特征在于,所述苯并环丁烯前体是单体或者寡聚体。
5.根据权利要求1至3任一项所述的硅通孔壁上制作苯并环丁烯树脂电介质层的方法,其特征在于,所述苯并环丁烯前体是环硅氧烷-苯并环丁烯CYC-BCB、或酰亚胺-苯并环丁烯。
6.根据权利要求1至3任一项所述的硅通孔壁上制作苯并环丁烯树脂电介质层的方法,其特征在于,所述溶剂为丙酮、乙酸乙酯、二氯甲烷、三氯甲烷、甲苯、N,N-二甲基甲酰胺、N,N-二甲基乙酰胺、N-甲基吡咯烷酮、二甲基亚砜中的一种或混合物。
7.根据权利要求1至3任一项所述的硅通孔壁上制作苯并环丁烯树脂电介质层的方法,其特征在于,所述硅通孔的直径为20-200微米,深宽比为2:1至10:1。
8.根据权利要求1至3任一项所述的硅通孔壁上制作苯并环丁烯树脂电介质层的方法,其特征在于,在将所述孔壁上附有BCB前体溶液的TSV硅片在常压或减压条件下除去溶剂时,使所述BCB前体溶液中的溶剂在室温至100℃环境下挥发,其中,挥发时间为10至60分钟。
9.根据权利要求1至3任一项所述的硅通孔壁上制作苯并环丁烯树脂电介质层的方法,其特征在于,在将所述硅通孔内侧壁上的BCB前体固化形成BCB树脂电介质层时,所述BCB树脂固化过程在惰性气氛、空气或真空下进行,固化温度180至300℃,固化时间为10至180分钟。
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H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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