[发明专利]一种半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，包括：

a)提供半导体衬底，所述半导体衬底包括NMOS区和PMOS区；

b)在所述半导体衬底上依次形成一氧化物层和一多晶硅层；

c)去除所述PMOS区上的多晶硅层；

d)在所述半导体衬底上形成一非晶态的碲化锗层；

e)形成所述PMOS区的伪栅极结构；

f)形成所述NMOS区的伪栅极结构；

g)在所述伪栅极结构的两侧形成侧壁结构；

h)在所述半导体衬底上形成一应力材料层，以覆盖所述伪栅极结构，并执行一退火过程；

i)去除所述应力材料层；

j)去除所述伪栅极结构，在所述侧壁结构之间形成栅沟槽。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，采用氧化和化学气相沉积工艺实施所述步骤b)。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤c)包括：先形成一图案化的光刻胶层以遮蔽所述NMOS区上的多晶硅层；再采用干法蚀刻工艺去除未被所述图案化的光刻胶层所遮蔽的所述PMOS区上的多晶硅层；最后，采用灰化工艺去除所述图案化的光刻胶层。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，采用物理气相沉积工艺或原子层沉积工艺形成所述非晶态的碲化锗层。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤e)包括：先形成一图案化的光刻胶层以遮蔽所述PMOS区上的非晶态的碲化锗层的中部；再采用干法蚀刻工艺去除未被所述图案化的光刻胶层所遮蔽的非晶态的碲化锗层的其余部分和所述PMOS区上的氧化物层的其余部分；最后，采用灰化工艺去除所述图案化的光刻胶层。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤f)包括：先形成一图案化的光刻胶层以遮蔽所述NMOS区上的多晶硅层的中部和所述PMOS区；再采用干法蚀刻工艺去除未被所述图案化的光刻胶层所遮蔽的所述NMOS区上的多晶硅层的其余部分和所述NMOS区上的氧化物层的其余部分；最后，采用灰化工艺去除所述图案化的光刻胶层。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述侧壁结构包括至少一氧化物层和/或至少一氮化物层。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在实施所述步骤g)之前，还包括执行一离子注入的步骤，以在所述伪栅极结构两侧的半导体衬底中形成未激活的轻掺杂源/漏区。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在实施所述步骤g)之后，还包括再次执行一离子注入的步骤，以在所述伪栅极结构两侧的半导体衬底中形成未激活的重掺杂源/漏区。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，采用湿法蚀刻工艺实施所述步骤i)。

11.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在实施所述步骤i)之后，还包括在所述侧壁结构两侧的源/漏区上形成自对准硅化物的步骤。

12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，在形成所述自对准硅化物之后，还包括形成一接触孔蚀刻停止层，以至少覆盖所述伪栅极结构的步骤。

13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，在形成所述接触孔蚀刻停止层之后，还包括以下步骤：形成一层间介质层，以覆盖所述接触孔蚀刻停止层；研磨所述层间介质层和所述接触孔蚀刻停止层，以露出所述伪栅极结构的顶部。

14.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在实施所述步骤j)之后，还包括以下步骤：在所述栅沟槽中依次形成一界面层、一高k介电层和一功函数金属层；实施金属栅的回填；执行一研磨过程，以去除形成在所述栅沟槽外部的金属栅、功函数金属层、高k介电层和界面层。