[发明专利]光刻用防尘薄膜组件以及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及光刻用防尘薄膜组件的光掩模粘着剂，进一步涉及防尘薄膜组件粘着剂的成形形状。

背景技术

ＬＳＩ，超ＬＳＩ等的半导体制造或者液晶表示板等的制造中，半导体晶片或者液晶用原版用光照射,从而进行图案制作。在所述场合使用的曝光原版（光刻用光掩模）如有灰有尘为附着，所述灰尘会吸收光，从而使光弯曲，这不仅会使转印的图案变形，边沿不齐，还会使基地变黑，发生尺寸、品质、外观以及完成后的部件机能等受损的问题。

由此，上述的作业，通常在无尘室中进行，但是即使在无尘室内,要保持曝光原版总是清净也是很难的，所以一般采取在曝光原版的表面贴附挡住灰尘,且使曝光用光良好通过的防尘薄膜组件的方法。在所述场合，灰尘不在曝光原版的表面上直接附着，而是在防尘薄膜上附着，如此只要在光刻时将焦点对准曝光原版的图案，防尘薄膜上的灰尘与转印就无关系了。

防尘薄膜组件的基本的构成如图1，图2所示。是将使曝光用光良好透过的硝酸纤维素、醋酸纤维素以及氟类聚合物等构成的透明的防尘薄膜3贴附于下述防尘薄膜组件框架上，即在由实施了黑色氧化膜处理的Ａ7075、Ａ6061以及Ａ5052等的铝合金、不锈钢以及聚乙烯等形成的防尘薄膜组件框架1上，或者在铝以及其他的金属上进行了涂装以及涂布的防尘薄膜组件框架1等的上端将防尘薄膜的良溶媒进行涂布，风干后进行接着（专利文献1参照），或用丙烯酸树脂、环氧树脂以及氟树脂等的接着剂2进行接着（专利文献2，专利文献3参照），进一步，在防尘薄膜组件框架1的下端，为了安装曝光原版，使用聚丁烯、聚醋酸乙烯基酯、丙烯酸树脂或者硅氧烷树脂等形成的粘着財层4，另外为了保护粘着剂层，设有光掩模粘着剂保护用衬层5。

【先行技术文献】

【专利文献】

【专利文献1】特开昭58－219023号公报

【专利文献2】美国专利第4861402号说明书

【专利文献3】特公昭63－27707号公报

防尘薄膜组件是，以将光掩模基板的表面形成的图案领域进行包围的形式进行设置的。防尘薄膜组件是为了防止光掩模基板上有灰尘为附着而设置的，所以所述图案领域和防尘薄膜组件外部，被分隔开,由此使防尘薄膜组件外部的灰尘不在图案面上附着。近年，ＬＳＩ的设计规则，正向小于四分之一的细微化前进，与此相伴随，曝光源的短波长化正在前进。即，从至今为至为主流的水银灯的ｇ线（436ｎｍ）以及Ｉ线（35ｎｍ），变为ＫｒＦ准分子激光（248ｎｍ），ＡｒＦ准分子激光（193ｎｍ），Ｆ2激光（157ｎｍ）等。

由于这样的曝光的短波长化的进行，随之曝光所持的能量变高。在高能量的光被使用的场合，与以往的那样的波长的光相比，曝光氛围气中存在的气体状物质进行反应,在光掩模基板上有反应生成物生成的可能性就会大幅度变高。由此，采取了将无尘室内的气体状物质极力减低,光掩模的洗净严格进行以及将防尘薄膜组件的构成物质发生气体的问题排除等的对策。

特别是防尘薄膜组件，在光掩模基板上进行直接贴附使用的场合，要求从防尘薄膜组件构成材料，即从有机材料形成的光掩模接着剂、防尘薄膜接着剂以及内壁涂布剂等发生的气体要少，从而可以得到改善。但是，光掩模基板上发生的所谓的「雾」的云状异物，即使进行光掩模的洗净以及防尘薄膜组件构成材料的低发生气体化，也不能完全杜绝，其成为半导体制造中的成品率变差的原因。

另一方面，近年光掩模上形成的图案的领域变广，由于要高效地对光掩模面进行利用而进行光刻，曝光时光会照到防尘薄膜组件近傍。由此，如曝光时防尘薄膜组件的光掩模接着剂就会从防尘薄膜组件框架向内侧膨出，此时曝光光以及或其散射光如碰到光掩模接着剂，就会有气体发生，发生的臭氧等的气体就会对光掩模接着剂产生热损害，气体的发生，会有可能使光掩模接着剂的机能变差。

即使使光掩模接着剂的低发生气体化，如果关键的光掩模接着剂膨出，这些改良不仅会变得无用,根据场合,会对光掩模造成伤害,发生大的损害。

作为所述那样的问题发生的原因，为防尘薄膜组件在光掩模上贴附时,要加以高压力,从而贴附于防尘薄膜组件。这是由于介于光掩模接着剂将防尘薄膜组件在光掩模上进行贴附,如不加以充分的荷重,就会在光掩模和光掩模接着剂之间形成气体通道，由此,使光掩模的图案面与外部环境隔离的本来的机能就会有失去的可能。

如施加如此高的贴附压力，加压时,光掩模接着剂就会发生显著的变形，如此,光掩模接着剂就会在框架内侧膨出。