[发明专利]SOI衬底制作方法及SOI衬底无效
| 申请号： | 201210333065.9 | 申请日： | 2012-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN103681447A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 钟汇才;梁擎擎;罗军 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L27/12 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 倪斌 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | soi 衬底 制作方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种制作绝缘体上半导体SOI衬底的方法，包括：
提供绝缘体上硅衬底，所述绝缘体上硅衬底包括支撑衬底、位于支撑衬底上的绝缘层以及位于绝缘层上的硅层；
在选定区域，在所述硅层上形成硅锗/硅的叠层，而在其他区域，在所述硅层上形成保护层；
进行锗浓缩处理，使得选定区域中所述硅层转变为锗层；以及
进行表面处理，以露出所述绝缘体上硅衬底的表面，从而形成所述SOI衬底。
2.根据权利要求1所述的方法，还包括：
在所述锗/硅叠层的顶部形成氧化保护膜。
3.根据权利要求2所述的方法，其中，通过等离子氧化处理，形成所述氧化保护膜。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述保护层包括氮化物。
5.根据权利要求1所述的方法，还包括：
在所需位置处形成浅沟槽隔离，所述浅沟槽隔离贯穿所述硅层。
6.根据权利要求1所述的方法，其中，在氧的气氛下进行锗浓缩处理。
7.根据权利要求6所述的方法，其中，在900℃-1100℃下执行锗浓缩处理，使得选定区域中所述硅层中Ge的含量达到约100％。
8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述选定区域包括P型器件区域，所述其他区域包括N型器件区域。
9.一种绝缘体上半导体SOI衬底，包括：
支撑衬底；
位于支撑衬底上的绝缘层；以及
位于绝缘层上的半导体层，所述半导体层在选定区域中包括锗材料，而在其他区域中包括硅材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
