[发明专利]边缘场开关模式液晶显示装置的阵列基板及其制造方法

说明书

技术领域

本发明的实施方式涉及液晶显示装置，更具体地讲，涉及边缘场开关（FFS）模式液晶显示装置的阵列基板及其制造方法。

背景技术

通常，液晶显示装置的驱动原理是基于液晶的光学各向异性和偏振。具有细长结构的液晶表现出分子排列的方向性，因此可以通过人为地向液晶施加电场来控制它们分子取向的方向。

因此，如果任意地控制液晶的分子排列方向，则液晶的分子排列可能改变，并且由于光学各向异性，光在液晶的分子排列方向上折射，以呈现图像信息。

目前，有源矩阵型液晶显示装置（AM-LCD；下文中，简称为“液晶显示装置”）已经由于它的分辨率和视频实现能力而被广泛使用，在该液晶显示装置中，薄膜晶体管和连接薄膜晶体管的像素电极被布置成矩阵形式。

液晶显示装置可以包括：滤色器基板（即，上基板），其形成有公共电极；阵列基板（即，下基板），其形成有像素电极；以及液晶，其填充在上基板和下基板之间，其中，通过沿着垂直方向施加在公共电极和像素电极之间的电场来驱动液晶，从而具有优异的透射率和开口率。

然而，通过沿着垂直方向施加的电场驱动液晶的缺点在于，提供了不充分视角特性。因此，新近已提出了用于克服上述缺点的利用面内切换的液晶驱动方法，并且利用面内切换的液晶驱动方法具有优异的视角特性。

这种面内切换模式液晶显示装置可以包括彼此面对的滤色器基板和阵列基板以及置于滤色器基板和阵列基板之间的液晶层。

分别针对阵列基板上的透明绝缘基板上限定的多个像素，设置薄膜晶体管、公共电极和像素电极。

此外，公共电极和像素电极被构造成在同一基板上彼此平行地分开。

另外，滤色器基板可以包括：黑底，其处于与透明绝缘基板上的选通线、数据线和薄膜晶体管对应的部分；以及滤色器，其对应于像素。

此外，由公共电极和像素电极之间的水平电场驱动液晶层。

在这种情形下，公共电极和像素电极由透明电极形成，用于确保亮度。

因此，已提出用于将亮度增强效应最大化的边缘场开关（FFS）技术。FFS技术允许以精确的方式控制液晶，从而得到高对比度而没有色移。

将参照图1至图3描述根据现有技术的制造边缘场开关（FFS）模式液晶显示装置的方法。

图1是示出根据现有技术的边缘场开关（FFS）模式液晶显示装置的示意性平面图。图2是示出图1的“A”部分的放大平面图，并且示意性示出在考虑粘结余量（bongding margin）的情况下用于覆盖漏接触孔部分的黑底（BM）。图3是沿着图1的III-III线的示意性剖视图，并且示出边缘场开关（FFS）模式液晶显示装置。

根据现有技术的边缘场开关（FFS）模式液晶显示装置的阵列基板可以包括：多条选通线13，其在透明绝缘基板11上沿着一个方向延伸，相互平行地分开；多条数据线21，其与选通线13交叉，在交叉的区域中限定像素区；薄膜晶体管（T），其设置在选通线13和数据线21的交叉处，并且由沿着垂直方向从选通线13延伸的栅电极13a、栅绝缘层15、有源层17、源电极23和漏电极25制成；感光亚克力（photo acryl）层29，其形成在包括薄膜晶体管（T）的基板的正面上；公共电极33，其在感光亚克力层29上形成有大面积；钝化层35，其形成在包括公共电极33的感光亚克力层29上，暴露出漏电极25；以及多个像素电极37，其形成在钝化层35上，以电连接到漏电极25，如图1至图3中所示。

在这种情形下，具有大面积的公共电极33位于像素区的正面上，与选通线13和数据线21分开一定间隔。

此外，多个杆形像素电极37位于公共电极33上，钝化层35置于多个杆形像素电极37和公共电极33之间。在这种情形下，公共电极33和多个像素电极37由透明导电材料氧化铟锡（ITO）形成。

另外，像素电极37通过感光亚克力层29上形成的漏接触孔31电连接到漏电极25。

此外，如图2和图3中所示，在滤色器基板41上沉积滤色器层45和黑底43，黑底43位于滤色器层45之间，用于阻挡光的透射，滤色器基板41与形成有公共电极33和多个像素电极37的绝缘基板11分开并与之粘结。在这种情形下，如图1中所示，黑底43可以形成在滤色器基板41上，与包括选通线13和数据线21的漏接触孔31相对应的一部分。

此外，如图3中所示，液晶层51可以形成在彼此粘结的滤色器基板41和绝缘基板11之间。

如上所述，在现有技术中，可使用感光亚克力层来减小寄生电容。