[发明专利]边缘场开关模式液晶显示装置的阵列基板及其制造方法

权利要求书

1.一种液晶显示装置，该液晶显示装置包括：

基板；

选通线，其沿着一个方向形成在所述基板的表面上；

数据线，其形成在所述第一基板上，并且与所述选通线交叉从而限定像素区；

薄膜晶体管，其形成在所述基板上，并且形成在所述选通线和所述数据线的交叉处；

绝缘层，其具有开口部分，所述开口部分位于所述薄膜晶体管的上部，用于至少暴露出所述薄膜晶体管的栅极部分；

像素电极，其形成在所述绝缘层的上部，并且连接到被暴露出的薄膜晶体管；

钝化层，其形成在包括所述像素电极的所述绝缘层的上部；以及

多个公共电极，它们形成在所述钝化层的上部并且相互分开。

2.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其中，所述开口部分暴露出构成所述薄膜晶体管的源电极、栅极部分、与沟道区相对应的有源层、和漏电极的上部。

3.根据权利要求2所述的液晶显示装置，其中，所述开口部分完全暴露出所述漏电极。

4.根据权利要求2所述的液晶显示装置，其中，所述源电极和所述漏电极是ITO形成的单层或铜和ITO形成的多层。

5.根据权利要求2所述的液晶显示装置，该液晶显示装置还包括形成在所述开口部分的侧壁上并位于所述源电极上的空置透明导电层图案。

6.根据权利要求2所述的液晶显示装置，其中，所述像素电极直接接触所述漏电极。

7.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其中，以具有导电金属层的单层结构或具有导电金属层和透明导电层的双层结构形成源电极。

8.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其中，以从包括具有感光性的感光亚克力层的有机绝缘材料和包括氮化硅层的无机绝缘材料中选择的任一种材料形成所述绝缘层。

9.根据权利要求1所述的液晶显示装置，该液晶显示装置还包括：

液晶层，其形成在所述基板和另一个基板之间，黑底、滤色器层和柱状间隔体形成在所述另一个基板上。

10.根据权利要求9所述的液晶显示装置，其中，所述柱状间隔体位于所述开口部分内，插入所述开口部分中。

11.一种制造液晶显示装置的方法，该方法包括以下步骤：

提供基板；

在所述基板的表面上，沿着一个方向形成选通线；

在所述基板上形成数据线和薄膜晶体管，所述数据线与所述选通线交叉从而限定像素区，并且所述薄膜晶体管位于所述选通线和所述数据线的交叉处；

形成绝缘层，所述绝缘层具有开口部分，所述开口部分位于所述薄膜晶体管的上部，用于至少暴露出所述薄膜晶体管的栅极部分；

形成像素电极，所述像素电极通过所述绝缘层的上部的所述开口部分连接到被暴露出的薄膜晶体管；

在包括所述像素电极的所述绝缘层的上部，形成钝化层；以及

在所述钝化层的上部，形成相互分开的多个公共电极。

12.根据权利要求11所述的方法，该方法还包括以下步骤：

在第二基板上，形成黑底、滤色器层和柱状间隔体；以及

在所述第一基板和所述第二基板之间设置液晶层。

13.根据权利要求11所述的方法，其中，所述开口部分暴露出构成所述薄膜晶体管的源电极和漏电极的上部、欧姆接触层和有源层的侧壁、以及与沟道区相对应的欧姆接触层的上部。

14.根据权利要求11所述的方法，其中，所述像素电极直接接触欧姆接触层和有源层的侧壁连同漏电极。

15.根据权利要求11所述的方法，其中，源电极和漏电极是ITO形成的单层或铜和ITO形成的多层。

16.根据权利要求11所述的方法，其中，以从包括具有感光性的感光亚克力层的有机绝缘材料和包括氮化硅层的无机绝缘材料中选择的任一种材料形成所述绝缘层。

17.根据权利要求11所述的方法，其中，所述柱状间隔体位于所述开口部分内，插入所述开口部分中。

18.根据权利要求11所述的方法，其中，在形成所述像素电极的过程中，连同所述像素电极一起同时形成空置图案。