[发明专利]金属栅极制作方法有效
| 申请号： | 201210328443.4 | 申请日： | 2012-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN103681273B | 公开（公告）日： | 2018-04-27 |
| 发明（设计）人： | 周鸣;平延磊 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 屈蘅,李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金属 栅极 制作方法 | ||
1.一种金属栅极的制作方法，包括：
提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有介质层，所述介质层中形成有栅极介质层以及位于所述栅极介质层上的虚拟栅极结构，所述虚拟栅极结构和栅极介质层侧壁形成有间隙壁；
去除部分所述间隙壁，形成一开口，所述开口暴露出部分所述介质层的侧壁；
去除虚拟栅极结构，形成沟槽；
去除部分所述间隙壁之后，去除所述虚拟栅极结构之前，或，去除部分所述间隙壁之前，在所述介质层上形成掩膜层；
形成所述掩膜层之后，且去除虚拟栅极结构之前或之后，还去除部分所述介质层，直至剩余的介质层与所述开口底部齐平；
进行物理气相沉积工艺形成金属层以填充所述沟槽；以及
进行化学机械研磨工艺去除所述介质层上的金属层，形成金属栅极结构。
2.如权利要求1所述的金属栅极的制作方法，其特征在于：采用湿法刻蚀工艺去除部分所述间隙壁。
3.如权利要求2所述的金属栅极的制作方法，其特征在于：所述间隙壁的材质为氮化硅。
4.如权利要求3所述的金属栅极的制作方法，其特征在于：所述湿法刻蚀工艺使用的刻蚀液体是磷酸，温度为20℃～100℃，时间为5秒～50秒。
5.如权利要求1所述的金属栅极的制作方法，其特征在于：采用湿法或干法刻蚀工艺去除部分所述间隙壁。
6.如权利要求1所述的金属栅极的制作方法，其特征在于：去除所述虚拟栅极结构之后，进行物理气相沉积工艺形成金属层之前，去除所述掩膜层。
7.如权利要求1所述的金属栅极的制作方法，其特征在于：采用干法刻蚀工艺去除所述虚拟栅极结构。
8.如权利要求7所述的金属栅极的制作方法，其特征在于：所述干法刻蚀工艺的反应气体为氯气，腔室压力为30mT～100mT，时间为15秒～45秒。
9.如权利要求1所述的金属栅极的制作方法，其特征在于：采用湿法刻蚀工艺去除部分所述介质层。
10.如权利要求9所述的金属栅极的制作方法，其特征在于：所述介质层的材质为二氧化硅。
11.如权利要求10所述的金属栅极的制作方法，其特征在于：所述湿法刻蚀使用的刻蚀液是稀释的氢氟酸，时间为5秒～15秒。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
