[发明专利]光学式触控面板及其制造方法以及光学式触控显示面板

权利要求书

1.一种光学式触控面板，包括：

一第一基板，具有一内表面；

一红外光滤光层，配置于该基板的该内表面上；

一第一图案化导电层，包括至少一栅极以及至少一条与该栅极连接的扫描线，其中该栅极与该扫描线位于该基板的该内表面上；

一第一介电层，配置于该基板上，以覆盖该栅极、该扫描线；

一通道层，配置于该第一介电层上，且位于该栅极上方；

一第二图案化导电层，包括至少一源极与至少一漏极，分别位于该通道层的两侧，且电性连接该通道层；

一透明电极，配置于该红外光滤光层上，电性连接该源极与该漏极其中之一；

一第二介电层，覆盖该第二图案化导电层以及部分该透明电极；

一红外光感测层，配置于该透明电极上；以及

一图案化遮光导电层，包括一感测电极与一遮光电极，该感测电极配置于该红外光感测层上，该遮光电极配置于该第二介电层上，且对准该通道层。

2.如权利要求1所述的光学式触控面板，其中该红外光滤光层的材质包括锗化合物或锗硅化合物。

3.如权利要求1所述的光学式触控面板，其中该红外光滤光层包括一蓝光滤光层、一绿光滤光层与一红光滤光层的叠层。

4.如权利要求1所述的光学式触控面板，其中还包括一彩色滤光层，设置于该第一基板的该内表面上。

5.如权利要求1所述的光学式触控面板，其中还包括一黑色矩阵，设置于该第一基板的该内表面上。

6.如权利要求1所述的光学式触控面板，其中该红外光感测层的材质包括富锗化合物、富硅化合物或是富锗硅化合物。

7.如权利要求6所述的光学式触控面板，其中该些富锗化合物包括富锗氧化锗、富锗氮化锗、富锗碳化锗、富锗氮氧化锗、富锗碳氧化锗、富锗氢氧化锗、富锗氢氮化锗、富锗氢碳化锗。

8.如权利要求6所述的光学式触控面板，其中该些富硅化合物包括富硅氧化硅、富硅氮化硅、富硅碳化硅、富硅氮氧化硅、富硅碳氧化硅、富硅氢氧化硅、富硅氢氮化硅、富硅氢碳化硅。

9.如权利要求6所述的光学式触控面板，其中该些富锗硅化合物包括富锗硅氧化锗硅、富锗硅氮化锗硅、富锗硅碳化锗硅、富锗硅氮氧化锗硅、富锗硅碳氧化锗硅、富锗硅氢氧化锗硅、富锗硅氢氮化锗硅、富锗硅氢碳化锗硅。

10.如权利要求1所述的光学式触控面板，其中该第二介电层具有一开口，暴露出该透明电极，该红外光感测层经由该开口与该透明电极接触。

11.如权利要求1所述的光学式触控面板，还包括一背光源，其中该图案化遮光导电层位于该背光源与该些通道层之间。

12.一种光学式触控面板的制造方法，包括：

提供一基板，该基板具有一内表面；

于该基板的该内表面上形成一红外光滤光层；

于该基板上形成一第一图案化导电层，包括至少一栅极以及至少一条与该栅极连接的扫描线，其中该栅极与该扫描线位于该基板的该内表面上；

于该基板上形成一第一介电层，以覆盖该栅极、该扫描线；

于该第一介电层上形成一通道层，其中该通道层位于该栅极上方；

于该基板上形成一第二图案化导电层，该第二图案化导电层包括至少一源极与至少一漏极，分别位于该通道层的两侧，且电性连接该通道层；

于该红外光滤光层上形成一透明电极，电性连接该源极与该漏极其中之一；

于该基板上形成一第二介电层，覆盖该第二图案化导电层以及部分该透明电极；

于该透明电极上形成一红外光感测层；以及

于该基板上形成一图案化遮光导电层，包括一感测电极与一遮光电极，该感测电极配置于该红外光感测层上，该遮光电极配置于该第二介电层上，且对准该通道层。

13.如权利要求12所述的光学式触控面板的制造方法，其中该红外光滤光层的材质包括锗化合物或锗硅化合物。

14.如权利要求12所述的光学式触控面板的制造方法，其中该红外光滤光层包括一蓝光滤光层、一绿光滤光层与一红光滤光层的叠层。

15.如权利要求12所述的光学式触控面板的制造方法，还包括于该第一基板的该内表面上形成一彩色滤光层。