[发明专利]发光二极管的制造方法

权利要求书

1.一种发光二极管的制造方法，包括：

提供一键合基板；

提供一外延结构，且于该外延结构上具有至少一单一管芯结构；

在该键合基板或外延结构之一者形成至少一排气通道，其中该排气通道的位置对应于该外延结构上的各单一管芯结构的周边；

在该外延结构与该键合基板上涂布接着胶；

挥发该接着胶上的有机挥发气体；

结合该外延结构与该键合基板；以及

沿着各该单一管芯结构的周边进行切割，形成多颗发光二极管管芯。

2.如权利要求1所述的发光二极管的制造方法，其中该排气通道设置于该键合基板。

3.如权利要求2所述的发光二极管的制造方法，其中该排气通道的深度小于该键合基板的厚度

4.如权利要求1所述的发光二极管的制造方法，其中该排气通道设置于该外延结构。

5.如权利要求4所述的发光二极管的制造方法，其中该外延结构包括外延基板与外延层，且该排气通道的深度小于该外延层的厚度。

6.如权利要求1所述的发光二极管的制造方法，其中该排气通道的深度为5~15μm。

7.如权利要求6所述的发光二极管的制造方法，其中该排气通道的深度为5~9μm。

8.如权利要求1所述的发光二极管的制造方法，其中该外延结构为四元外延结构，且该四元外延结构是由磷化铝镓铟(AlGaInP)构成。

9.如权利要求1所述的发光二极管的制造方法，其中该接着胶为环氧树脂。

10.如权利要求1所述的发光二极管的制造方法，其中该键合基板的材料包括氮化镓、碳化硅或硅基板。

11.如权利要求1所述的发光二极管的制造方法，其中应用感应耦合等离子体离子蚀刻制作工艺、机械切割或激光切割，以于该外延结构上的单一管芯结构的周边形成该排气通道。

12.如权利要求1所述的发光二极管的制造方法，还包括：

去除该排气通道上的该接着胶。

13.如权利要求12所述的发光二极管的制造方法，其中若该接着胶为非感光物质，则应用光刻与蚀刻制作工艺，去除该排气通道上的该接着胶。

14.如权利要求12所述的发光二极管的制造方法，其中若该接着胶为感光物质，则应用光刻制作工艺，将该排气通道上的该接着胶以显影液去除。

15.一种发光二极管的制造方法，包括：

提供一键合基板；

提供一外延结构，该外延结构包含外延基板与外延层，其中该外延层具有相对的第一表面与第二表面，该外延基板与该外延层接合于该第一表面；

在该外延层上的各单一管芯结构的周边形成至少一排气通道；

在该外延层的该第二表面与该键合基板上涂布接着胶；

挥发该接着胶上的有机挥发气体；结合该外延结构与该键合基板；

移除该外延基板，而暴露出该外延层的该第一表面；

在该外延层所暴露出的该第一表面上形成电极；以及

沿着各该单一管芯结构的周边进行切割，形成多颗发光二极管管芯。

16.一种发光二极管的制造方法，包括：

提供一键合基板；

提供一外延结构，该外延结构包含外延基板与外延层，其中该外延层具有相对的第一表面与第二表面，该外延基板与该外延层接合于该第一表面，且于该外延结构上具有至少一单一管芯结构；

在该键合基板上形成至少一排气通道，以对应该单一管芯结构的周边；

在该外延层的该第二表面与该键合基板上涂布接着胶；

挥发该接着胶上的有机挥发气体；

结合该外延结构与该键合基板；

移除该外延基板，而暴露出该外延层的该第一表面；

在该外延层所暴露出的该第一表面上形成电极；以及

沿着各该单一管芯结构的周边进行切割，形成多颗发光二极管管芯。