[发明专利]穿硅通孔及其制作方法有效
| 申请号： | 201210323190.1 | 申请日： | 2012-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN103489840A | 公开（公告）日： | 2014-01-01 |
| 发明（设计）人： | 黄琦雯;苏国辉 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L21/768 |
| 代理公司： | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人： | 江耀纯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 穿硅通孔 及其 制作方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种穿硅通孔结构，其特征在于，包括：
一半导体基材；
一第一金属层间介电层，设于该半导体基材上；
一上盖层，覆盖该第一金属层间介电层；
一导电层，贯穿该上盖层及该第一金属层间介电层，延伸至该半导体基材内；
一钨金属膜，盖住该导电层的一上表面；
一第二金属层间介电层，覆盖该上盖层以及该钨金属膜；以及
一内连件，设于该第二金属层间介电层中。
2.根据权利要求1所述的穿硅通孔结构，其特征在于，该上盖层包含有氮化硅。
3.根据权利要求1所述的穿硅通孔结构，其特征在于，该内连件包含有铜镶嵌结构。
4.根据权利要求1所述的穿硅通孔结构，其特征在于，该内连件系与该钨金属膜直接接触。
5.根据权利要求1所述的穿硅通孔结构，其特征在于，该第一金属层间介电层包含有氧化硅。
6.根据权利要求1所述的穿硅通孔结构，其特征在于，该第二金属层间介电层包含有氧化硅。
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